公开(公告)号：CN1816113B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200510076691.4

申请日：2005-06-13

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 樋口刚 ,  船越纯 ,  山县诚司 ,  水口寿孝 ,  山本克义

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/3598 ,  H03F3/087 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/363

Abstract: 本发明提供了一种成像设备。参考电压产生器的第二源极跟随器电路包括具有与像素的第一源极跟随器电路相同的特性的晶体管。因此，第二源极跟随器电路可以根据第一源极跟随器电路的特性改变而产生第二参考电压。噪声电压切换电路在噪声电压等于或低于第二参考电压时，将第一电压作为噪声电压输出到像素信号产生器。在复位状态中，噪声电压和第二参考电压一直具有预定的电压差。因此，即使在捕获具有高亮度的物体时，也能够避免图像质量的恶化。由于根据所形成的晶体管的特性而从多个参考电压中选择出任一个参考电压的修整电路等变得不必要，因此可以降低成像设备的成本。

公开(公告)号：CN101558562A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680056567.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 船越纯

IPC: H03K5/02

CPC classification number: H03K19/018528

Abstract: 本发明是一种不产生剩余电流的电平位移电路，其特征在于，包括电平位移部，该电平位移部与产生高电位的高电位电源、产生低电位的低电位电源、产生接地电位的接地电位电源连接，接收在所述低电位和接地电位之间摆动的低电位信号，并将该低电位信号变换成在所述高电位和接地电位之间摆动的高电位信号后输出；反相器部，该反相器部对来自所述电平位移部的所述高电位信号进行反相放大；以及N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管与反相器部串联连接在所述高电位电源和接地电位电源之间，其栅极电极连接在所述低电位电源上，并且向所述反相器部提供接地电位。另外，如果使用上述的电平位移电路，则能够提供不管模拟电源和逻辑电源的接通顺序如何都不会产生剩余电流的半导体电路装置。

公开(公告)号：CN1716773B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200510001639.2

申请日：2005-02-03

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 水口寿孝 ,  船越纯 ,  山县诚司 ,  樋口刚

IPC: H03K5/24 ,  H03K5/22 ,  H03M1/12 ,  H04N5/335 ,  H01L27/14

CPC classification number: H04N5/335 ,  H03M1/0607

Abstract: 本发明提供了一种差分比较器，所述差分比较器根据分别被输入到第一和第二输入端的第一和第二输入信号电平的一致/不一致，将正的和/或负的逻辑信号输出到输出端，所述差分比较器包括偏移抵消功能，所述偏移抵消功能由偏移电容器件、第一开关和第二开关组成，其中，偏移电容器件位于第一和第二端的差分比较器侧，第一开关用于短路连接第一和第二输入端以使得形成包括偏移电容器件的闭合环路，第二开关用于短路连接偏移电容器件和差分比较器之间的连接点与输出端。

公开(公告)号：CN100553303C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510001852.3

申请日：2005-01-18

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 船越纯 ,  山本克义 ,  小久保朝生 ,  水口寿孝 ,  樋口刚

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3658 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种成像设备及其控制方法以及CMOS图像传感器。一种设置有读出电路的成像设备，其中光屏蔽区域被形成在其中多个光/电转换器件在行和列方向上被二维排列的图像区域的一部分中，读出设备将从用于每列的光/电转换器件中的每一个输出的光学探测信号转换为数字信号，该成像设备包括：存储设备，用于保存与光屏蔽区域中的光/电转换器件相关的被输出的数字信号；以及差计算设备，用于计算和除了光屏蔽区域之外的光接收区域中的光/电转换器件相关的被输出的数字信号与被保存在存储设备中的值之间的差。