公开(公告)号：CN101409307A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810170175.1

申请日：2008-10-13

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 金永奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种应用应力技术并且可以抑制硅化物形成所致漏电流的半导体器件。在由形成于半导体衬底中的隔离区域限定的单元区域上方形成栅电极，其中栅极绝缘膜介于栅电极与单元区域之间。在栅电极的两侧上的单元区域中形成延伸区域和源极/漏极区域。此外，晶格常数与半导体衬底不同的半导体层形成为与至少部分隔离区域相分离。通过这样做，即使形成硅化物层也仍然抑制在隔离区域附近形成尖峰。因而可以抑制这样的尖峰所致的漏电流。