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公开(公告)号：CN106057648A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610536760.3
申请日：2011-12-02
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要： 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1‑xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，所述x值沿所述缓冲层的任意厚度方向连续变化，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。
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公开(公告)号：CN1292406C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
摘要： 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层，且上述软磁性层具有100nm～600nm的厚度。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。
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公开(公告)号：CN102569378A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110402804.0
申请日：2011-12-02
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/201 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要： 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。
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公开(公告)号：CN1639773A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
摘要： 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。软磁性打底层具有100～600nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102637735B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210031567.6
申请日：2012-02-13
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要： 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；以及形成在电子传输层上的电子供给层，其中在衬底的表面上以混合方式存在与电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。
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公开(公告)号：CN102637735A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210031567.6
申请日：2012-02-13
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要： 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；以及形成在电子传输层上的电子供给层，其中在衬底的表面上以混合方式存在与电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。
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公开(公告)号：CN100545913C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610094037.0
申请日：2006-06-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/66
摘要： 一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层(16)；第二记录层(20)，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(18)，其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间，并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此，可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造，从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
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公开(公告)号：CN101022013A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610094037.0
申请日：2006-06-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/66
摘要： 一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层(16)；第二记录层(20)，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(18)，其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间，并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此，可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造，从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
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