公开(公告)号：CN101615608A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910141124.0

申请日：2009-05-22

申请人： 富士通株式会社

发明人： 羽根田雅希 ,  清水纪嘉 ,  大塚信幸 ,  中尾嘉幸 ,  砂山理江 ,  田平贵裕

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：含有氧的绝缘膜，形成在半导体衬底上；凹部，形成在所述绝缘膜中；难熔金属膜，形成在所述凹部的内壁上；含有铜、锰以及镍的金属膜，形成在所述难熔金属膜上；以及铜膜，形成在所述金属膜上，以填充所述凹部。本发明能够降低锰从金属膜扩散进入填充于凹部中的铜膜，从而能够降低铜膜的阻抗增加。