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公开(公告)号：CN101271890A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810091832.3
申请日：2005-11-18
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L27/00 , H01L27/04 , H01L23/482 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100423254C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510125088.0
申请日：2005-11-18
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101271890B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810091832.3
申请日：2005-11-18
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L27/00 , H01L27/04 , H01L23/482 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1822360A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510125088.0
申请日：2005-11-18
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
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