公开(公告)号：CN102013428B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910171447.4

申请日：2009-09-04

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 郑国樟 ,  涂高维

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 一种金氧半导体芯片，包括一重掺杂的半导体基板、一外延层、至少一元件与一金属图案层；重掺杂的半导体基板构成一漏极掺杂区；外延层于半导体基板上；外延层的上表面定义有一主动区、一终端区与一切割道保留区，在切割道保留区具有一蚀刻壁，延伸至半导体基板的一上表面；此半导体基板的上表面的边缘区域暴露于外；元件位于主动区，并具有一栅极与一源极；金属图案层位于外延层与半导体基板上，包括一栅极接触垫、一源极接触垫与一漏极金属图案，其中，栅极接触垫电连接栅极，源极接触垫电连接源极，至少部分的漏极金属图案位于半导体基板的上表面。此芯片的设计可降低导通耗损；其制作方法可降低制作成本，也有利于后续的封装与装配程序。

公开(公告)号：CN102013428A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910171447.4

申请日：2009-09-04

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 郑国樟 ,  涂高维

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 一种金氧半导体芯片，包括一重掺杂的半导体基板、一外延层、至少一元件与一金属图案层；重掺杂的半导体基板构成一漏极掺杂区；外延层于半导体基板上；外延层的上表面定义有一主动区、一终端区与一切割道保留区，在切割道保留区具有一蚀刻壁，延伸至半导体基板的一上表面；此半导体基板的上表面的边缘区域暴露于外；元件位于主动区，并具有一栅极与一源极；金属图案层位于外延层与半导体基板上，包括一栅极接触垫、一源极接触垫与一漏极金属图案，其中，栅极接触垫电连接栅极，源极接触垫电连接源极，至少部分的漏极金属图案位于半导体基板的上表面。此芯片的设计可降低导通耗损；其制作方法可降低制作成本，也有利于后续的封装与装配程序。