公开(公告)号：CN119161190A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411318621.4

申请日：2024-09-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 毕见强 ,  别守亮 ,  刘林涛 ,  梁关东 ,  杨瑶 ,  王璐

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种低粘度的碳化硅陶瓷浆料及其制备方法与应用。碳化硅陶瓷浆料包括：改性的α‑SiC粉体以及分散剂，其中分散剂包括四甲基氢氧化铵或四甲基氢氧化铵与十八胺聚氧乙烯醚的组合物。利用Al(NO3)3和腐殖酸钠改性后的粉体亲水性更好，且表面的zeta电位为负，腐殖酸钠会吸附在α‑SiC粉体表面，形成空间位阻防止粉体聚集和沉淀；四甲基氢氧化铵在水中会发生电离，生成的OH‑为溶液提供强碱性的环境，提高了表面的Zeta负电位，阻止了α‑SiC粉体的团聚。当加入十八胺聚氧乙烯醚时，其也会吸附在α‑SiC粉体表面，形成空间位阻防止粉体聚集和沉淀，因此可以获得高固含量且低粘度、性能稳定的碳化硅陶瓷浆料。

公开(公告)号：CN119569058A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411738094.2

申请日：2024-11-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 毕见强 ,  梁关东 ,  刘林涛 ,  别守亮 ,  杨瑶

IPC: C01B32/921 ,  H05K9/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R27/28

Abstract: 本发明属于无机非金属材料技术领域，具体涉及一种立方相TiC纳米片的制备方法与应用。本发明首先以多层Mxene(Ti3C2Tx)为原料，利用四甲基氢氧化铵作为插层剂，插层减薄后获得少层的Ti3C2Tx；然后使用3‑氨基酚对其进行包覆处理，增加少层Ti3C2Tx纳米片表面的C含量；最后将包覆后的少层Ti3C2Tx作为模板，在氩气气氛下高温煅烧处理，获得立方相的TiC纳米片。此方法制备立方相碳化钛纳米片具有片状形貌可控、操作简单、可量产的优势，可用于电磁波吸收领域。

公开(公告)号：CN119161189A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411318619.7

申请日：2024-09-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 毕见强 ,  刘林涛 ,  别守亮 ,  梁关东 ,  杨瑶 ,  王璐

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高固含量、低粘度的碳化硅陶瓷浆料及其制备方法与应用。碳化硅陶瓷浆料的组分包括：铝盐改性的α‑SiC粉体以及分散剂，其中分散剂包括四甲基氢氧化铵、乙二醇以及异丙醇。改性后的α‑SiC粉体其亲水性更好，且改性后的α‑SiC粉体表面的zeta电位为负，四甲基氢氧化铵在水中会发生电离：生成的OH‑为溶液提供强碱性的环境，大幅度地增加了改性后的α‑SiC粉体表面负电荷量，提高了表面的Zeta负电位，阻止了α‑SiC粉体的团聚。同时，乙二醇和异丙醇分子中的羟基可以与α‑SiC粉体表面形成氢键或范德华力从而吸附在颗粒表面，形成空间位阻防止粉体聚集和沉淀。因此获得高固含量且低粘度、性能稳定的碳化硅陶瓷浆料。