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公开(公告)号：CN118946237A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410845420.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法，本发明的单畴化纳米级热释电单晶薄膜在绝缘的热释电薄膜层与隔离层之间增加一层较薄的热释电消除层，其材质与热释电薄膜层材料一致，但面法线方向的极性反向，既达到了改善热释电晶体薄膜电荷积累的效果，同时其材料与热释电薄膜层材料同材质，具有相同的物理性质，对薄膜压电、热释电、电光系数等无影响，本发明结构中热释电薄膜层具备高极化强度特点。与现有技术中在复合薄膜正反两面做电极的方式相比，不引入额外的电极等与薄膜异质的材料，工艺相对简单，成本低，应力小，避免了由于热释电薄膜层与电极之间的薄膜脱落问题等。
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公开(公告)号：CN113687556B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110775577.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率。
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公开(公告)号：CN113687556A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110775577.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率。
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公开(公告)号：CN118969628A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410844575.5
申请日：2024-06-27
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/428
Abstract: 本发明涉及基于激光剥离异质衬底晶体薄膜制备薄膜晶圆的方法，本发明采用激光剥离的方法，在超短时间内将高能量密度的激光辐照投射在薄膜片注入停止层，使停止层的注入离子快速受热气化，以快速完成薄膜片剥离过程；加热和降温速度快、热聚集性性高；在注入离子气化过程中，上层的薄膜片晶圆和下层的衬底片晶圆均受热较小，基本不会造成由于异质材料热膨胀差异带来的形变影响，规避了异质材料键合高温处理的裂片问题，采用简单高效的方法实现了异质材料键合的薄膜片完整剥离，具有较高的工艺兼容性，可以适用于多种异质材料键合的薄膜结构，易加工，工序简单、时间短、成本低，为晶体薄膜加工提供了新的方法。
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