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公开(公告)号：CN111864003B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910363000.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 山东大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/20
Abstract: 本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜，通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器，通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中，利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测，其暗电流低，制备简单，为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
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公开(公告)号：CN1434551A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03111917.4
申请日：2003-03-04
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法，主要在(Nd3+：YVO4)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0－6.0MeV，剂量为1×1012～5×1015离子/平方厘米范围的磷离子注入，在钕离子掺杂钒酸钇晶体表面形成平面光波导，或利用先做条形掩膜，再做磷离子注入的方法，形成钕离子掺杂钒酸钇的条形光波导。对波导端面进行激光谐振腔镀膜后，通过一定波长和功率的泵浦激光对钕离子掺杂钒酸钇平面波导或条形波导进行泵浦，输出波长为1064nm左右的红外激光。
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公开(公告)号：CN118946237A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410845420.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法，本发明的单畴化纳米级热释电单晶薄膜在绝缘的热释电薄膜层与隔离层之间增加一层较薄的热释电消除层，其材质与热释电薄膜层材料一致，但面法线方向的极性反向，既达到了改善热释电晶体薄膜电荷积累的效果，同时其材料与热释电薄膜层材料同材质，具有相同的物理性质，对薄膜压电、热释电、电光系数等无影响，本发明结构中热释电薄膜层具备高极化强度特点。与现有技术中在复合薄膜正反两面做电极的方式相比，不引入额外的电极等与薄膜异质的材料，工艺相对简单，成本低，应力小，避免了由于热释电薄膜层与电极之间的薄膜脱落问题等。
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公开(公告)号：CN115373082B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211143999.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。
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公开(公告)号：CN115373082A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211143999.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969628A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410844575.5
申请日：2024-06-27
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/428
Abstract: 本发明涉及基于激光剥离异质衬底晶体薄膜制备薄膜晶圆的方法，本发明采用激光剥离的方法，在超短时间内将高能量密度的激光辐照投射在薄膜片注入停止层，使停止层的注入离子快速受热气化，以快速完成薄膜片剥离过程；加热和降温速度快、热聚集性性高；在注入离子气化过程中，上层的薄膜片晶圆和下层的衬底片晶圆均受热较小，基本不会造成由于异质材料热膨胀差异带来的形变影响，规避了异质材料键合高温处理的裂片问题，采用简单高效的方法实现了异质材料键合的薄膜片完整剥离，具有较高的工艺兼容性，可以适用于多种异质材料键合的薄膜结构，易加工，工序简单、时间短、成本低，为晶体薄膜加工提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN109975926A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910213337.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于加载条型光波导技术领域,尤其涉及一种二氧化硅加载条型波导及其制作方法。所述二氧化硅加载条型波导从下到上依次包括：单晶铌酸锂衬底、二氧化硅缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、二氧化硅加载条，所述二氧化硅缓冲层覆盖于单晶铌酸锂衬底上，单晶铌酸锂薄膜覆盖于二氧化硅缓冲层上，若干个所述二氧化硅加载条排列、覆盖在单晶铌酸锂薄膜上。本发明制备的加载条型光波导损耗低，仅为0.16dB/cm，同时，与其他加载条用刻蚀工艺来制备的方式相比较，本发明的制备工艺中二氧化硅加载条不需要额外的刻蚀步骤，通过反剥工艺即可实现加载条的制备，制作工艺简易方便，易于实现。
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公开(公告)号：CN102707377A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210193195.7
申请日：2012-06-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，采用多能量中/重离子注入，注入离子的能量范围是2MeV~6MeV，注入后采用温度由低到高阶梯式退火处理，温度范围200℃~500℃,逐渐增加退火温度，每次增加温度的间隔至少15℃，每一退火温度下的退火时间为20min~60min。多能量注入减小了漏光损耗，多温度梯度退火在减少吸收和散射损耗的同时确保折射率减小层的稳定，采用本发明中的方法我们已经在铌酸锂晶体上获得了损耗只有0.17dB的能够在1.5微米波段传输的单模条形波导和分支器，这是目前能够测到的离子注入波导损耗的最小值。
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公开(公告)号：CN1238578C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03111918.2
申请日：2003-03-04
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法，主要在(Nd3+:YVO4)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0-6.0MeV，剂量为1×1012～5×1015离子/平方厘米范围的磷离子注入，在钕离子掺杂钒酸钇晶体表面形成平面光波导，或利用先做条形掩膜，再做磷离子注入的方法，形成钕离子掺杂钒酸钇的条形光波导。对波导端面进行激光谐振腔镀膜后，利用一定波长和功率的泵浦激光对钕离子掺杂钒酸钇平面波导或条形波导进行泵浦，输出波长在1064nm左右的红外激光。
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公开(公告)号：CN113687556B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110775577.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率。
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