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公开(公告)号：CN111864003B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910363000.0
申请日：2019-04-30
申请人： 山东大学
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/20
摘要： 本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜，通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器，通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中，利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测，其暗电流低，制备简单，为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
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公开(公告)号：CN116466529A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310446823.6
申请日：2023-04-19
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提供了一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的光交叉波分复用器及方法，所述的光交叉波分复用器，包括：自上而下分层布置的非对称的马赫‑增德尔干涉仪结构及金属电极、单晶铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层和硅衬底；硅材质非对称的马赫‑增德尔干涉仪结构，包括：两个多模干涉耦合器以及分别与两个多模干涉耦合器连接的非对称臂；本发明在Si‑LNOI平台上实现了波导型光交叉波分复用器，可以利用硅光子成熟的加工工艺制备，利用铌酸锂的电光效应实现电光调谐功能，能够满足密集波分复用系统小信道间隔的要求，具有高的消光比，紧致的尺寸，高的电光调制效率，可以对波长进行快速和精确调谐。
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公开(公告)号：CN111864003A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910363000.0
申请日：2019-04-30
申请人： 山东大学
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/20
摘要： 本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜，通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器，通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中，利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测，其暗电流低，制备简单，为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
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公开(公告)号：CN115373082B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211143999.6
申请日：2022-09-20
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。
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公开(公告)号：CN115373082A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211143999.6
申请日：2022-09-20
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。
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