公开(公告)号：CN104944960B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510379114.6

申请日：2015-07-01

申请人： 山东大学

发明人： 龚红宇 ,  冯玉润 ,  张玉军 ,  王仙丽 ,  郭学 ,  赵玉军

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种前驱体转化法制备含乙酰丙酮铁硅碳氮陶瓷的方法，包括以下步骤：(1)将聚硅氮烷、α‑甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀，得混合溶液；(2)将混合溶液在固化；(3)将固化所得的物料粉碎球磨；(4)将粉料与乙酰丙酮铁混合均匀；(5)将混合均匀的粉料预压成型，得生坯；(6)将生坯在1000℃～1400℃的温度进行热解/烧结，保温，即得。本发明所得材料高温性能好，引入乙酰丙酮铁会提高SiCN陶瓷显气孔率，降低其体积密度，显著提高SiCN陶瓷的微波吸收性能，提高电磁波衰减系数。

公开(公告)号：CN105503199A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201511023997.3

申请日：2015-12-30

申请人： 山东大学

发明人： 龚红宇 ,  冯玉润 ,  张玉军 ,  张琳 ,  王仙丽 ,  刘玉 ,  郭学

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/9607

摘要： 本发明涉及一种高热导率氮化硅-氮化铝复合材料及其制备方法，该复合材料由以下质量百分比的原料成分经混合、球磨、干燥、烧结而成：氮化硅55～90wt.％，氮化铝5～35wt.％，烧结助剂0～10wt.％；各成分用量之和为100％。本发明通过向Si3N4材料中添加AlN制得的Si3N4-AlN复合材料，所制得的Si3N4-AlN复合陶瓷材料除了具有一般氮化硅陶瓷的优异性能外，还具有热导率高的特点，可以满足半导体器件和集成电路等对热导率要求较高的场合的应用要求。

公开(公告)号：CN105503192A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201511026439.2

申请日：2015-12-30

申请人： 山东大学

发明人： 张玉军 ,  张钊 ,  龚红宇 ,  王仙丽 ,  余锦程

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77

摘要： 本发明涉及一种注射成型反应烧结B4C/SiC复合陶瓷材料及其制备方法，该复合陶瓷材料，由以下质量百分比的原料成分经混料、混炼、注射、脱脂、烧结而成：碳化硼45～60％，碳化硅15～30％，炭粉1～5％，表面活性剂1～3％，分散剂0～2％，润滑剂6～15％，粘结剂4～12％；各成分用量之和为100％。本发明制得的反应烧结B4C/SiC复合陶瓷材料显气孔率低于0.30％，弯曲强度在300MPa以上，硬度大于3.04GPa，断裂韧性大于4.27MPa·m1/2。

公开(公告)号：CN105000889A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510379111.2

申请日：2015-07-01

申请人： 山东大学

发明人： 龚红宇 ,  冯玉润 ,  张玉军 ,  王仙丽 ,  郭学 ,  赵玉军

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种前驱体转化法制备含铁硅碳氮陶瓷的方法，包括步骤如下：(1)将聚硅氮烷、α-甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀，得混合溶液；(2)将混合溶液固化；(3)固化所得的物料粉碎球磨；(4)将球磨后的粉料与纳米氧化铁混合均匀；(5)将所得粉料预压成型，得生坯；(6)将步骤(5)所得生坯在1000℃～1400℃的温度进行热解/烧结，保温；即得。发明通过前驱体法制备含铁SiCN陶瓷，采用前驱体转化法，制备工艺简单，所得材料高温性能优异；引入纳米氧化铁会使介电常数值明显增加，介电损耗也相应增加；其电磁衰减系数也增大，反射率提高。

公开(公告)号：CN105000889B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510379111.2

申请日：2015-07-01

申请人： 山东大学

发明人： 龚红宇 ,  冯玉润 ,  张玉军 ,  王仙丽 ,  郭学 ,  赵玉军

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种前驱体转化法制备含铁硅碳氮陶瓷的方法，包括步骤如下：(1)将聚硅氮烷、α‑甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀，得混合溶液；(2)将混合溶液固化；(3)固化所得的物料粉碎球磨；(4)将球磨后的粉料与纳米氧化铁铁混合均匀；(5)将所得粉料预压成型，得生坯；(6)将步骤(5)所得生坯在1000℃～1400℃的温度进行热解/烧结，保温；即得。发明通过前驱体法制备含铁SiCN陶瓷，采用前驱体转化法，制备工艺简单，所得材料高温性能优异；引入纳米氧化铁会使介电常数值明显增加，介电损耗也相应增加；其电磁衰减系数也增大，反射率提高。

公开(公告)号：CN104944960A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510379114.6

申请日：2015-07-01

申请人： 山东大学

发明人： 龚红宇 ,  冯玉润 ,  张玉军 ,  王仙丽 ,  郭学 ,  赵玉军

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种前驱体转化法制备含乙酰丙酮铁硅碳氮陶瓷的方法，包括以下步骤：(1)将聚硅氮烷、α-甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀，得混合溶液；(2)将混合溶液在固化；(3)将固化所得的物料粉碎球磨；(4)将粉料与乙酰丙酮铁混合均匀；(5)将混合均匀的粉料预压成型，得生坯；(6)将生坯在1000℃～1400℃的温度进行热解/烧结，保温，即得。本发明所得材料高温性能好，引入乙酰丙酮铁会提高SiCN陶瓷显气孔率，降低其体积密度，显著提高SiCN陶瓷的微波吸收性能，提高电磁波衰减系数。