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公开(公告)号：CN100416718C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610042239.0
申请日：2006-02-08
摘要： 本发明涉及一种铁-钼基快淬态纳米晶巨磁阻抗薄带及制备方法，属于磁传感与磁存储技术领域。本发明的主要内容是该薄带材料的组成式为FeαMoβCuγSiφBλ，原子百分数值为β＝2.5～3.3，γ＝2.3～4，φ＝12～14，λ＝8～10，α＝100-β-γ-φ-λ。本发明采用真空熔炼、甩带工艺，省去了退火过程，降低了成本。它解决了现有技术存在的制备过程多、能耗高等缺点。本发明具有制备工艺简单、生产成本低、薄带材料巨磁阻抗性能高等优点。
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公开(公告)号：CN1598930A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410035724.6
申请日：2004-09-08
摘要： 本发明属于磁传感与磁存储技术领域。本发明的主要内容是淬态纳米晶薄带材料是由铁元素、锆元素、铜元素、硼元素组成的，组成式为FeαZrβCuγBλ，其中原子百分数β＝5～8，γ＝2.3～5，λ＝2～6，α＝100－β－γ－λ，制备采用真空熔炼、甩带工艺，省去了退火过程，降低了成本。总之，本发明具有工艺简单、成本低、能耗低等优点，用此工艺得到的淬态纳米晶薄带材料巨磁阻抗性能高。
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公开(公告)号：CN1808642A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610042239.0
申请日：2006-02-08
摘要： 本发明涉及一种铁－钼基快淬态纳米晶巨磁阻抗薄带及制备方法，属于磁传感与磁存储技术领域。本发明的主要内容是该薄带材料的组成式为FeαMoβCuγSiφBλ，原子百分数值为β＝2.5～3.3，γ＝2.3～4，φ＝12～14，λ＝8～10，α＝100－β－γ－φ－λ。本发明采用真空熔炼、甩带工艺，省去了退火过程，降低了成本。它解决了现有技术存在的制备过程多、能耗高等缺点。本发明具有制备工艺简单、生产成本低、薄带材料巨磁阻抗性能高等优点。
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公开(公告)号：CN102031563B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN102214892A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110122179.4
申请日：2011-05-12
申请人： 中国科学院理化技术研究所 , 山东大学
摘要： 一种基于块状激光自变频材料级联效应的激光器，包括至少一个泵浦源、由激光谐振腔A镜和B镜组成的激光谐振腔和至少含三个光学面的块状激光自变频材料；其第一和第二光学面分别垂直于自变频材料非线性系数最大的基频光倍频相位匹配方向(θ1，φ1)和基频光与倍频光和频相位匹配方向(θ2，φ2)；第三光学面垂直于相位匹配方向(θ1，φ1)和(θ2，φ2)平分线；泵浦源对自变频材料至少一个面进行泵浦，泵浦光进入处镀对泵浦光具高透射率膜系；基频光沿相位匹配方向(θ1，φ1)产生倍频光，基频光与倍频光在自变频材料沿“V”字形传播，基频光与倍频光沿相位匹配方向(θ2，φ2)产生和频光(三倍频光)；本发明用一块自变频材料实现基频激光谐振、倍频与和频多种功能，复合功能性强、结构紧凑、稳定性高、制作成本低。
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公开(公告)号：CN102031563A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN101966689A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010292885.9
申请日：2010-09-27
申请人： 山东大学
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种大直径4H-SiC碳面的表面抛光方法，包括机械抛光、化学机械抛光及清洗，机械抛光选用金刚石微粉与氧化剂、分散剂配制的pH值为1～5的抛光液，在抛光温度30～70℃条件下对4H-SiC晶片的碳面进行机械抛光；化学机械抛光选用pH值为1～5、浓度为2～50wt％、粒度为20～100nm的纳米抛光液，加入适量氧化剂。本发明克服了传统的单晶片表面碱性抛光液的缺点，获得了无表面损伤层、高平整度、超光滑的表面，材料去除速率为0.4～1.5μm/h，抛光后晶片透明光亮。
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公开(公告)号：CN101962810A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010292892.9
申请日：2010-09-27
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提供一种LiGa3Te5单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。该LiGa3Te5单晶体的制备方法是首先制备LiGa3Te5多晶原料，再利用坩埚下降法进行LiGa3Te5单晶体的生长。本发明制备的LiGa3Te5单晶体可供晶体物理性能测试与器件研究，并具有足够尺寸体块；具有较宽的红外透过范围，能够通过非线性频率变换技术实现中远红外激光输出，因而可应用于制作红外非线性光学器件；同时可用于制作压电器件。
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公开(公告)号：CN100588609C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810001675.2
申请日：2006-01-04
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B21/082 , C01B21/04 , C01B31/06 , C01B31/04
摘要： 一种用于调控氮化碳材料物相的溶剂热恒压合成方法，属于化工生产和新材料领域。该方法包括碳源液和氮源液的配制、装釜，加热之前先施加40～2000MPa的恒定压力，控制温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到220～1000℃，反应结束，冷却至室温，对产品进行后处理。本发明的方法合成硼碳氮时，反应体系的温度和压力可以独立地分别调控，既能使反应过程在恒定的压力下进行，又可以根据需要改变体系的压力，从而对合成氮化碳的反应进行的速度和方向进行控制。利用本发明的方法，可得到大粒度的氮化碳晶体。
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公开(公告)号：CN100557090C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610070586.4
申请日：2006-12-06
申请人： 山东大学
摘要： 一种拉曼晶体及其制备方法与应用，属于晶体生长与晶体器件技术领域。用提拉法制备具有白钨矿结构的晶体BaWO4，SrWO4，CaWO4，NaY(WO4)2或NaY(WO4)2。通过闪光灯或激光二极管泵浦Nd:YAG晶体或透明陶瓷，Nd:YAP晶体，Nd:GVO4或Nd:YxGd1-xVO4晶体，产生1.3微米的激光，使用电光调Q、声光调Q、被动调Q等元器件形成脉冲激光，再通过白钨矿结构晶体产生人眼安全的1.5μm波长激光。本方法制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低，以及便于工业化的大批量制造等特点。
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