公开(公告)号：CN118380308A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410516328.2

申请日：2024-04-25

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 韩萍 ,  何宇 ,  郑捷 ,  刘斌 ,  钟耕杭 ,  靳慧洁 ,  蔡丽艳 ,  王瑞英

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/12 ,  B08B3/08

摘要： 本发明公开了一种处理硅衬底激光打标损伤的方法。该方法包括以下步骤：(1)切片后进行激光刻字；(2)刷洗，并进行一次清洗；(3)进行硅片表面研磨，并进行超声清洗，研磨总压力控制在800±200kg；(4)在一定旋转速率下进行腐蚀，然后进行超声清洗，用浓度为45％±5％的氢氧化钠溶液完成腐蚀，旋转速率25±5r/min；后续完成正常抛光、清洗工序。根据本发明的方法，在不影响激光打标目视读取的前提下，通过清洗、研磨、腐蚀，将激光打标造成的孔洞周围烧结的硅粉烧结物和残留在硅片表面的硅粉有效去除，提高硅抛光片的TIR和STIR等表面几何参数以及颗粒品质，从而满足IC制造中更高精度的光刻制程，进而满足高品质轻掺硅片的制备需求。

公开(公告)号：CN118425615A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410494803.0

申请日：2024-04-23

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 韩萍 ,  孙韫哲 ,  靳慧洁 ,  蔡丽艳 ,  刘斌 ,  王瑞英

IPC分类号： G01R27/02 ,  G01N27/04

摘要： 本发明公开了一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法。该包括以下步骤：(1)使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；(2)将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；(3)根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；(4)根据设备的标准化操作，完成正常测试；(5)在测试完成后，将电阻率值/2作为最终测试数据。采用本发明的方法，能够解决小于0.001Ω·cm的重掺红磷硅片的测试，可以通过电容法测试获得电阻率具体值，设备测试重复性可达到1％，准确度对标四探针法同样可达到小于1％。