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发明公开
一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法审中-实审

公开(公告)号：CN117148085A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311078513.X

申请日：2023-08-25

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 徐盼盼 , 闫宝华 , 刘清海

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，属于半导体技术领域。剥离步骤如下：(1)将封装的发光二极管用去离子水超声清洗；(2)将清洗后的发光二极管放置于高压容器中,加入去离子水进行蒸煮；(3)将蒸煮后的发光二极管取出，用刀片沿支架表面与芯片底部水平位置切割，使封装胶体连同芯片一起从支架分离；(4)在体式显微镜下观察分离后的封装胶体底部，使用尖头刀片从芯片旁边位置向下挖，将芯片连同少部分封装胶体一同撬下；(5)用刀片或镊子将撬下的芯片周围的封装胶体去除，得到完整、表面洁净的发光二极管芯片。本发明绿色环保、操作简单，且剥离得到的发光二极管芯片表面洁净，无二次污染损坏。