一种外加轴向电场与侧向气流协同辅助激光打孔的装置及方法

    公开(公告)号:CN114571104A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210192503.8

    申请日:2022-03-01

    Abstract: 本发明提供了一种外加轴向电场与侧向气流协同辅助激光打孔的装置及方法,包括激光打孔系统、轴向电场辅助单元和侧向气流辅助单元,所述激光打孔系统用于工件的微孔加工;所述轴向电场辅助单元对称安装在工件两侧,用于在工件附近产生轴向电场,且所述轴向电场辅助单元与所述激光打孔系统的激光喷嘴同轴;所述侧向气流辅助装置安装在工件左侧,用于产生风场气流。本发明通过外加轴向电场的辅助作用,可对等离子体中带电粒子密度和等离子体的运动形态产生影响,减弱等离子体对入射激光的屏障效应与散射作用,提高激光利用效率。通过侧吹气流的辅助作用,可吹除材料蒸气,间接的减少了等离子体的生成,同时侧向气流可加速工件表面的气流运动,避免热量累计,减小热影响区,进一步提高激光打孔的质量与效率。

    利用磁场辅助激光切割硅晶圆的加工方法

    公开(公告)号:CN118543983A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410717794.7

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本发明公开了一种通过施加外部磁场辅助激光切割硅晶圆的加工方法,属于激光加工技术领域。其特征在于,包括以下步骤(1)清洗硅晶圆表面,去除杂质;(2)将硅晶圆装夹到磁体上方,使得磁感线方向与激光入射方向平行;(3)调节磁场强度,利用特斯拉计测量不同磁场强度,并在不同强度位置切割硅晶圆;(4)调整磁体距离硅晶圆表面的距离,确定磁体最大影响距离;(5)调整磁感线方向与激光入射方向垂直,验证不同磁感线方向对切割效果的影响。本发明采用激光对硅晶圆进行切割,通过磁场约束等离子体,限制等离子体运动的方向和通量,减轻等离子体羽流对激光的屏蔽作用。利用本文提出的加工方法加工硅晶圆,可以提高激光加工性能,获得较高的深宽比。

    一种激光辅热超声波塑料焊接方法

    公开(公告)号:CN115489128A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211309436.X

    申请日:2022-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种激光辅热超声波塑料焊接方法,该方法结合超声波焊接和激光加工两项技术:超声波和激光双向加工,分别从工件顶部和底部施加作用。激光从模具底端孔入射扫描,实现导能筋的预热;激光扫描后,实施超声波焊接,焊接过程根据材料性质停止或持续激光扫描;保压冷凝,完成焊接过程。所述激光波长不但可以透过材料而且在聚焦位置被材料吸收。本发明既具有超声波焊接速度快的优势又结合激光加工精度高的特点;克服了普通超声波焊接加工压力过大时导致的工件变形严重和飞边问题,避免了压力过小导致熔接效果不一致、熔接不足等现象,并进一步减少加工时间。本发明提供了一种激光辅热超声波塑料焊接方法,可以降低焊接熔合缺陷,提高超声波焊接效率。

Patent Agency Ranking