公开(公告)号：CN118513701A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410707387.8

申请日：2024-06-03

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王志文 ,  王成金 ,  田文涛 ,  王孝庆 ,  纪成龙 ,  朱胜旺

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402

Abstract: 本发明公开了激光技术领域的一种液相辅助激光切割过程气泡采集的装置和方法，包括激光器、扩束器、半波片、偏振分光棱镜、反射镜、计算机控制系统、聚焦物镜、液体介质、透明容器、LED光源、夹具、硅晶圆、位移台、陷波滤波片、物镜、变焦镜筒、ICCD相机和延时同步发生器。通过搭建的时间分辨阴影成像系统捕捉持续性气泡和空化气泡的阴影图像，建立持续性气泡和空化气泡的动态模型。本发明公开了的气泡采集装置和方法，可以同步获得激光切割过程中持久性气泡的运动规律，还可以获得不同时刻的空化气泡，对不同时刻的阴影图想进行叠加，获得空化气泡随时间的演化规律。根据气泡运动规律可以优化激光切割工艺，减轻气泡对激光切割造成的不良影响。

公开(公告)号：CN118543983A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410717794.7

申请日：2024-06-04

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 于文慧 ,  王孝庆 ,  王志文 ,  王成金 ,  朱胜旺 ,  纪成龙

IPC: B23K26/38 ,  H01L21/78 ,  B23K26/402 ,  B23K26/70 ,  B23K101/40 ,  B23K103/00

Abstract: 本发明公开了一种通过施加外部磁场辅助激光切割硅晶圆的加工方法，属于激光加工技术领域。其特征在于，包括以下步骤(1)清洗硅晶圆表面，去除杂质；(2)将硅晶圆装夹到磁体上方，使得磁感线方向与激光入射方向平行；(3)调节磁场强度，利用特斯拉计测量不同磁场强度，并在不同强度位置切割硅晶圆；(4)调整磁体距离硅晶圆表面的距离，确定磁体最大影响距离；(5)调整磁感线方向与激光入射方向垂直，验证不同磁感线方向对切割效果的影响。本发明采用激光对硅晶圆进行切割，通过磁场约束等离子体，限制等离子体运动的方向和通量，减轻等离子体羽流对激光的屏蔽作用。利用本文提出的加工方法加工硅晶圆，可以提高激光加工性能，获得较高的深宽比。

公开(公告)号：CN113909702A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111437151.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王志文 ,  田文涛 ,  王成金 ,  袁伟 ,  魏娟 ,  郑宏宇

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  B28D5/00 ,  B28D7/00

Abstract: 本发明公开了激光技术领域的一种利用时间分辨阴影成像技术辅助激光液相烧蚀切割硅晶圆的加工方法，通过搭建的时间分辨阴影成像系统捕捉空化气泡和持续性气泡的阴影图像，建立空化气泡和持续性气泡的动态模型。根据空化气泡的动态模型优化烧蚀激光的重复频率，减轻空化气泡折射对硅晶圆表面造成的不良影响。根据持续性气泡的动态模型优化液体介质类型和浓度，调控持续性气泡滞留时间，避免长时间滞留在硅晶圆表面的持续性气泡与后续激光脉冲反应，减轻持续性气泡破溃冲击作用对硅晶圆表面带来的不良影响。利用本发明提出的加工方法加工硅晶圆，获得的切缝窄、热影响区小、微纳颗粒溅射沉积范围小、诱导气泡负面影响小。

公开(公告)号：CN114147368A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111479330.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 山东理工大学

Inventor： 王志文 ,  王成金 ,  田文涛 ,  魏娟 ,  袁伟 ,  郑宏宇

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70 ,  C09K13/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种基于激光辅助腐蚀溶液切割硅晶圆的加工方法，属于激光加工技术领域。激光辅助腐蚀溶液湿法切割硅是一种无需掩模图形腐蚀的方法，利用激光实现对浸入腐蚀溶液中硅晶圆的切割。激光束经过透镜在硅晶圆表面聚焦，焦点处硅晶圆材料及腐蚀溶液吸收激光能量并瞬间转化为热能，使表面温度升高，加快硅与腐蚀溶液的化学反应速率，实现对硅晶圆的切割。本发明相比于传统的激光烧蚀切割硅和湿法刻蚀工艺，具有硅槽深宽比高、切缝干净光滑、无需制作图形掩膜以及腐蚀速率快的特点。