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公开(公告)号：CN1187115C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00810392.5
申请日：2000-07-11
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: B01J2/26 , C07C29/78 , Y10T428/2982 , C07C33/044 , C07C31/20 , C07C31/22
Abstract: 一种由熔体制备片状粒子的工艺，其中(i)制备一种熔体，(ii)将已制备的熔体成型为熔滴，(iii)熔滴落到冷却面上，和(iv)落下的熔滴凝固为粒子，其特征为，熔体包含一种醇，熔体的熔融温度为30℃或以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1069898C
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN96113099.7
申请日：1996-09-27
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07D207/267
CPC classification number: C07D207/267
Abstract: 一种通过在结晶器中结晶纯化N-乙烯基吡咯烷酮的方法，其中在结晶之前将结晶器内在结晶期间生长晶体的表面用N-乙烯基吡咯烷酮种子层覆盖。
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公开(公告)号：CN1151329A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96113058.X
申请日：1996-09-27
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: B01D9/02
CPC classification number: C07C51/43 , B01D9/0013 , B01D9/0036 , C07B63/00 , C07C7/14 , C07C15/00
Abstract: 一种通过在结晶器中结晶、从液体混合物中分离物质的方法，其中在结晶之前，将以待分离的、混合物晶体悬涂于其中的熔体或溶液的悬浮液形式存在的两相种子层施于结晶期间生长晶体的结晶器表面上。
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公开(公告)号：CN1361714A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN00810392.5
申请日：2000-07-11
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: B01J2/26 , C07C29/78 , Y10T428/2982 , C07C33/044 , C07C31/20 , C07C31/22
Abstract: 一种由熔体制备片状粒子的工艺,其中(i)制备一种熔体,(ii)将已制备的熔体成型为熔滴,(iii)熔滴落到冷却面上,和(iv)落下的熔滴凝固为粒子,其特征为,熔体包含一种醇,熔体的熔融温度为30℃或以上。
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公开(公告)号：CN1083283C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN96113058.X
申请日：1996-09-27
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: B01D9/02
CPC classification number: C07C51/43 , B01D9/0013 , B01D9/0036 , C07B63/00 , C07C7/14 , C07C15/00
Abstract: 一种通过在结晶器中结晶、从液体混合物中分离物质的方法，其中在结晶之前，将以待分离的、混合物晶体悬涂于其中的熔体或溶液的悬浮液形式存在的两相种子层施于结晶期间生长晶体的结晶器表面上。
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公开(公告)号：CN1150148A
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：CN96113099.7
申请日：1996-09-27
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07D207/267
CPC classification number: C07D207/267
Abstract: 一种通过在结晶器中结晶纯化N-乙烯基吡咯烷酮的方法，其中在结晶之前将结晶器内在结晶期间生长晶体的表面用N-乙烯基吡咯烷酮种子层覆盖。
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