公开(公告)号：CN101065837A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580010600.5

申请日：2005-03-10

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： R·梅利斯

IPC: H01L21/3213 ,  C11D11/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D1/72 ,  C11D1/83 ,  C11D3/0084 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/43 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明涉及具有改进性能的用于去除蚀刻后残留物的新型溶液及其在半导体生产中的应用。本发明还涉及在半导体生产过程中，对于必须无蚀刻后残留物和颗粒的金属层和表面具有降低的蚀刻速率的水溶液。

公开(公告)号：CN101238242B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200680028516.0

申请日：2006-08-07

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： M·弗吕格 ,  R·梅利斯 ,  T·戈尔策洛伊希特尔 ,  M·施瓦格尔 ,  R·厄斯滕

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/28

CPC classification number: C23F1/28 ,  C01B15/037 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明涉及新型的在储存中稳定的溶液，在半导体技术中可借助该溶液对由铜以及Cu/Ni层构成的特定金属敷层蚀刻。该新型蚀刻溶液可对纯铜敷层、铜/镍合金层以及顺序的铜和镍层进行蚀刻和结构化。该溶液含有硝酸、过氧化氢、柠檬酸和水。

公开(公告)号：CN101238242A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028516.0

申请日：2006-08-07

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： M·弗吕格 ,  R·梅利斯 ,  T·戈尔策洛伊希特尔 ,  M·施瓦格尔 ,  R·厄斯滕

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/28

CPC classification number: C23F1/28 ,  C01B15/037 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明涉及新型的在储存中稳定的溶液，在半导体技术中可借助该溶液对由铜以及Cu/Ni层构成的特定金属敷层蚀刻。该新型蚀刻溶液可对纯铜敷层、铜/镍合金层以及顺序的铜和镍层进行蚀刻和结构化。该溶液含有硝酸、过氧化氢、柠檬酸和水。

公开(公告)号：CN100375250C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03814610.X

申请日：2003-05-27

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： R·梅利斯 ,  M·伯尔纳 ,  L·阿尔诺德 ,  A·巴尔科 ,  R·莱茵

IPC: H01L21/3213 ,  C09D9/00 ,  C09G1/04 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

Abstract: 本发明涉及在半导体元件生产过程中用以从金属表面，特别是从铝或含铝的表面清除所谓“侧壁残留物”的组合物。