公开(公告)号：CN101996642A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010278034.9

申请日：2010-07-13

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： A·V·纳扎洛夫 ,  V·A·凡斯科 ,  O·G·赫诺尼恩 ,  邹丽娟 ,  T·R·布恩斯塔 ,  X·彭 ,  高凯中

IPC分类号： G11B5/40

CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163

摘要： 本发明涉及一种包括形成在基底上的磁性材料的转换器，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的一对侧壁的每一个相接触。回填材料围绕在成形的磁性材料的一对侧壁的每一个上的保护材料的周围。

公开(公告)号：CN102148038B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110087187.X

申请日：2011-02-09

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： 高凯中 ,  X·彭 ,  Z·王 ,  Y·陈

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/398 ,  G11B5/3912 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开一种磁读取头。在某些示例中，一种系统包括具有磁存储介质的数据存储部件，该磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲。该系统还包括磁读取头，该磁读取头具有第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁性读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场。在某些示例中，屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。

公开(公告)号：CN102148038A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110087187.X

申请日：2011-02-09

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： 高凯中 ,  X·彭 ,  Z·王 ,  Y·陈

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/398 ,  G11B5/3912 ,  H01L43/08

摘要： 公开一种磁读取头。在某些示例中，一种系统包括具有磁存储介质的数据存储部件，该磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲。该系统还包括磁读取头，该磁读取头具有第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁性读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场。在某些示例中，屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。

公开(公告)号：CN101996642B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010278034.9

申请日：2010-07-13

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： A·V·纳扎洛夫 ,  V·A·凡斯科 ,  O·G·赫诺尼恩 ,  邹丽娟 ,  T·R·布恩斯塔 ,  X·彭 ,  高凯中

IPC分类号： G11B5/40

CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163

摘要： 本发明涉及一种包括形成在基底上的磁性材料的转换器，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的一对侧壁的每一个相接触。回填材料围绕在成形的磁性材料的一对侧壁的每一个上的保护材料的周围。