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公开(公告)号：CN103295588A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210597631.7
申请日：2012-10-15
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/3169 , G11B5/3912 , G11B5/40 , Y10T428/1121 , Y10T428/1164
摘要： 本发明涉及一种读取器阻挡层。对于制造换能器头的读取器结构的允许限度变得越来越小，并且对应存储介质的存储密度逐渐增加。在制造读取器结构期间，可利用读取器阻挡层保护读取器结构的不同层在对读取器结构的其他未受保护层进行处理的时候不产生凹坑和/或刮擦。例如，阻挡层在机械或者化学-机械抛光期间可具有极低的抛光率。邻近地区可以被显著地抛光，而通过具有极低抛光率的阻挡层所保护的结构基本上不被影响。然后可经由蚀刻去除阻挡层，例如在完成机械或者化学-机械抛光之后。
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公开(公告)号：CN103295588B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210597631.7
申请日：2012-10-15
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/3169 , G11B5/3912 , G11B5/40 , Y10T428/1121 , Y10T428/1164
摘要： 对于制造换能器头的读取器结构的允许限度变得越来越小，并且对应存储介质的存储密度逐渐增加。在制造读取器结构期间，可利用读取器阻挡层保护读取器结构的不同层在对读取器结构的其他未受保护层进行处理的时候不产生凹坑和/或刮擦。例如，阻挡层在机械或者化学‑机械抛光期间可具有极低的抛光率。邻近地区可以被显著地抛光，而通过具有极低抛光率的阻挡层所保护的结构基本上不被影响。然后可经由蚀刻去除阻挡层，例如在完成机械或者化学‑机械抛光之后。
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公开(公告)号：CN102760445B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210122931.X
申请日：2012-04-24
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/33 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , Y10T428/11 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要： 本发明公开了具有双磁矩的磁性元件。可使用装置和相关联的方法来提供能检测磁状态变化的数据感测元件。本发明的各实施例一般涉及磁性响应的层的迭片和用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。
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公开(公告)号：CN101996642B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010278034.9
申请日：2010-07-13
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/40
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/3106 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及一种包括形成在基底上的磁性材料的转换器，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的一对侧壁的每一个相接触。回填材料围绕在成形的磁性材料的一对侧壁的每一个上的保护材料的周围。
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公开(公告)号：CN103886873B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
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公开(公告)号：CN103886873A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
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公开(公告)号：CN102760445A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210122931.X
申请日：2012-04-24
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/33 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , Y10T428/11 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要： 本发明公开了具有双磁矩的磁性元件。可使用装置和相关联的方法来提供能检测磁状态变化的数据感测元件。本发明的各实施例一般涉及磁性响应的层的迭片和用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。
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公开(公告)号：CN101996642A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010278034.9
申请日：2010-07-13
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/40
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/3106 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及一种包括形成在基底上的磁性材料的转换器，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的一对侧壁的每一个相接触。回填材料围绕在成形的磁性材料的一对侧壁的每一个上的保护材料的周围。
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