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公开(公告)号:CN100553118C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200480017795.1
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
CPC分类号: H03G3/3042 , H03F1/0261 , H03F3/211 , H03F3/347 , H03F2200/504 , H03F2200/99 , H03G1/0017 , H03G3/004
摘要: 根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN1813401A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200480017794.7
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F3/195 , H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN100553120C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200480018110.5
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F1/0261 , H03F1/0233 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/207 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN1820410A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200480018110.5
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F1/0261 , H03F1/0233 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/207 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN1820409A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200480018109.2
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F3/195 , H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F2200/207 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN100553119C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200480018109.2
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F3/195 , H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F2200/207 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN100553117C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200480017794.7
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F3/195 , H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504
摘要: 现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积,并利用多集成电路技术,净生产成本很高,封装面积较大。本发明提出一种新的方案,其中,使用了几个传感和控制信号,对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说,这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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公开(公告)号:CN1813402A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200480017795.1
申请日:2004-06-17
申请人: 希格半导体(美国)公司
CPC分类号: H03G3/3042 , H03F1/0261 , H03F3/211 , H03F3/347 , H03F2200/504 , H03F2200/99 , H03G1/0017 , H03G3/004
摘要: 根据本发明的第一实施例,提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例,提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例,提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
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