一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器

    公开(公告)号:CN109639242A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811439987.1

    申请日:2018-11-29

    申请人: 汪洋

    发明人: 汪洋 陈杰 梁绪亮

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/193 H03F3/21

    摘要: 本发明提供一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器,包括射频输入端与射频输出端,射频输入端连接有延时调节电路,延时调节电路的另一端连接有Q1‑Q3共射极晶体管,Q1‑Q3共射极晶体管的集电极连接有包络跟踪器,包络跟踪器另一端连接有包络检波电路,包络检波电路的另一端与射频输入端相连,本发明通过在5G GaAs射频功率放大器的Q1‑Q3共射极晶体管的集电极加入包络跟踪器和包络检波电路,以及在Q1‑Q3共射极晶体管的基极加入延时调节电路,有效地对不同射频输入功率精细化的调节集电极供电电压,从而显著地提高了5G GaAs射频功率放大器的效率。

    双操作模式功率放大设备

    公开(公告)号:CN108696250A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810029410.7

    申请日:2018-01-12

    发明人: 崔在爀

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/21

    摘要: 本公开提供一种双操作模式功率放大设备,所述双操作模式功率放大设备包括:功率放大电路,被配置为包括放大输入信号的单元放大器;第一偏置电路,被配置为产生所述功率放大电路的第一偏置电流;第二偏置电路,被配置为产生所述功率放大电路的第二偏置电流,所述第二偏置电流为独立于所述第一偏置电流的信号;第一镇流电路,连接于所述第一偏置电路和所述功率放大电路之间,并且被配置为将所述第一偏置电流传输到所述功率放大电路;及第二镇流电路,连接于所述第二偏置电路和所述功率放大电路之间,并且被配置为将所述第二偏置电流传输到所述功率放大电路。