公开(公告)号：CN103107230A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201110358927.9

申请日：2011-11-14

申请人： 常州光电技术研究所 ,  中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 张波 ,  余晨辉 ,  陆卫 ,  李宁 ,  陈平平 ,  甄红楼 ,  王文娟 ,  李志锋 ,  李天信 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0248 ,  G01J1/42

摘要： 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。

公开(公告)号：CN103107230B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110358927.9

申请日：2011-11-14

申请人： 常州光电技术研究所 ,  中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 张波 ,  余晨辉 ,  陆卫 ,  李宁 ,  陈平平 ,  甄红楼 ,  王文娟 ,  李志锋 ,  李天信 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0248 ,  G01J1/42

摘要： 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。

公开(公告)号：CN114545620B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202210123406.3

申请日：2022-02-10

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 王文娟 ,  诸毅诚 ,  陈平平 ,  陆卫 ,  李冠海 ,  陈效双 ,  曲会丹 ,  周敏 ,  孙京华 ,  郭子路 ,  李阳俊 ,  沈学础

IPC分类号： G02B27/00 ,  G02B1/00

摘要： 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。

公开(公告)号：CN113013268A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110100758.2

申请日：2021-01-26

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 王文娟 ,  诸毅诚 ,  李冠海 ,  陆卫 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  曲会丹 ,  高万甜

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器。基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器包括红外焦平面探测器和形成在衬底处的超表面透镜。该超表面透镜由许多亚波长尺度的小圆柱构成，小圆柱的位置和直径大小按照相位规律排布，该超表面可以调制入射光的波前，使其能够聚焦到探测器像元的吸收层上。相比传统的红外焦平面探测器，本发明能够实现亚波长量级的聚焦光斑，可以将像元尺寸减小至波长量级，有利于平面式焦平面器件往更小的像元，更高的像元密度发展。与此同时，能在器件的光响应不变或提高的情况下，降低器件的暗电流，提高信噪比，抑制像元之间的光电串扰。

公开(公告)号：CN104538489A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410748536.1

申请日：2014-12-09

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 胡伟达 ,  骆文锦 ,  王鹏 ,  苗金水 ,  郭楠 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/108

摘要： 本发明公开了一种提高石墨烯与纳米线异质结探测器开关比的方法。该方法是在机械剥离的石墨烯上物理转移InAs纳米线，形成异质结。由于石墨烯与InAs纳米线具有不同的功函数，接触处会形成肖特基势垒。而栅极电压能够调节石墨烯的费米能级，从而调节肖特基势垒的高度，形成内建电场，使光生电子空穴对迅速分开，电子流向InAs纳米线，空穴流向石墨烯。因此，肖特基势垒的可调控优势能够有效地抑制石墨烯与纳米线异质结探测器的暗电流，提高探测器的开关比。此结构能够使石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比超过102。本发明对于提高现有的石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104332510A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410546873.2

申请日：2014-10-16

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李倩 ,  李志锋 ,  陆卫 ,  陈效双 ,  李宁 ,  陈平平 ,  李天信 ,  王文娟 ,  甄红楼 ,  王少伟 ,  景友亮 ,  廖开升

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/02161

摘要： 本发明公开了一种提升光电探测器响应率的亚波长等离激元微腔耦合结构，通过等离激元微腔对入射光的传播方向和光场分布进行调制，使入射光被限制在微腔中传播，减小了光的逃逸，提高了光子的利用率。入射光场被集聚在微腔中使得强度得到极大的增强，通过在微腔中夹持光电转换材料能够形成高响应率的光电探测器。该耦合结构由上层周期性金属条块形成的金属光栅层、光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是：利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得进入到微腔的光子沿横向传播并形成驻波，既集聚了光场能量又增加了等效光吸收的长度，使得探测器响应率得到极大地提升。

公开(公告)号：CN102185025B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110082811.7

申请日：2011-04-01

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海中科高等研究院 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司

发明人： 陆卫 ,  王旺平 ,  李宁 ,  李志锋 ,  陈效双 ,  俞立明 ,  张波 ,  李天信 ,  陈平平 ,  甄红楼 ,  王少伟

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。

公开(公告)号：CN101458293B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810204665.9

申请日：2008-12-16

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  殷菲 ,  张波 ,  甄红楼 ,  李天信 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  李宁 ,  陈效双

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。

公开(公告)号：CN1793874B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510111477.8

申请日：2005-12-14

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  李天信 ,  李志锋 ,  邵军 ,  陈平平 ,  李宁 ,  张波 ,  陈效双

IPC分类号： G01N23/227 ,  G01N13/00 ,  G01N1/28

摘要： 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。

公开(公告)号：CN100559194C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710172700.9

申请日：2007-12-21

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  叶振华 ,  胡晓宁

IPC分类号： G01R29/24

摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。