一种自带VFTO抑制功能的开关

    公开(公告)号:CN107068457A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710335958.X

    申请日:2017-05-12

    IPC分类号: H01H9/48 H01H31/02

    CPC分类号: H01H9/48 H01H31/02

    摘要: 本发明涉及一种自带VFTO抑制功能的开关,自带VFTO抑制功能的开关包括筒体,筒体内设有动端触座、静端触座,所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元,筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子,所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接,所述磁环单元套设在所述径向导电杆上,磁环单元的数量能够在径向导电杆上沿筒体的轴向或径向增加,大大提高了磁环布置的灵活性,合理利用筒体内部的空间,产生的VFTO经过相应的动端触座或静端触座直接传递到径向导电杆上的磁环单元上,抑制效果较好,而且磁环单元布置的位置距离隔离断口较近,有利于减少磁环使用量。

    电连接装置及其触指座
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105632794B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201610117216.5

    申请日:2016-03-02

    IPC分类号: H01H1/64 H01H1/58

    摘要: 本发明涉及电连接装置及其触指座。该电连接装置包括触指座和导电杆,触指座包括导电体和设于导电体外围的屏蔽罩,导电体与屏蔽罩之间设有供相应导电杆由上至下插配的插配空间,屏蔽罩的内孔壁的下端具有屏蔽罩配合面段,导电体的外周面的下端具有与屏蔽罩配合面段过盈配合的导电体配合面段。屏蔽罩配合面段与导电体配合面段过盈配合而实现屏蔽罩与导电体之间的连接,这使得不用预留用于安装螺钉连接结构的安装空间,也不用考虑螺钉连接结构的设置会对电场要求产生的影响,而且也不存在焊接时出现的效率低、成品率差的问题。因此,本发明中的触指座的工艺性好,结构简单,便于推广应用。