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公开(公告)号:CN117816517A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202311327071.8
申请日:2023-10-13
Applicant: 广东交通职业技术学院
Abstract: 本发明提供一种金属纳米薄膜及其制备方法,将SnF应用于金属纳米线的表面修饰。通过在PET基底上喷涂铜纳米线溶液,然后再进行电镀,在电镀后的金属纳米线上进行SnF包覆,形成一层包覆层,在保证较低的电阻率和较高透光率的同时,大大提高了铜纳米线薄膜的稳定性。三层复合薄膜的性能远优于未经处理的铜纳米线薄膜,通过调节包覆时间,可以获得最佳的铜纳米线基透明导电膜。
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公开(公告)号:CN117292888A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311164101.8
申请日:2023-09-11
Applicant: 东莞理工学院 , 广东交通职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种具有高光学透过性和导电性的金属纳米薄膜及其制备方法,首先进行配料,按摩尔比CuCl2:C6H12O6:ODA(十八胺)溶于去离子水中,然后将混合溶液置于磁力搅拌机中室温下进行磁力搅拌3~10h,使其混合均匀为蓝色溶液;进行水热反应得到铜纳米线溶液进行清洗,再将于匀胶机上进行旋涂,自然挥发后制成铜纳米线透明导电薄膜材料,随后进行电镀处理,最后将电镀后铜纳米线上旋涂PEDOT:PSS,90℃烘干5min。利用本发明提供的具有高光学透过性和导电性的金属纳米薄膜及其制备方法,有效地解决了现有技术中大多数透明导电薄膜中存在的高电阻率和机械脆性问题。
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公开(公告)号:CN117024136A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311003362.1
申请日:2023-08-10
Applicant: 广东交通职业技术学院
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域,公开一种高品质因数介电可调陶瓷及其制备方法与应用。本发明的高品质因数介电可调陶瓷,其化学式为BaSnxTi1‑xO3,0.12≤x≤0.21,是通过混合粉料、压制成型、排胶、烧结等步骤制备得到,所得介电可调陶瓷的品质因数均高于500,可作为微波可调元件应用于相关领域。
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