公开(公告)号：CN117024136A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311003362.1

申请日：2023-08-10

Applicant: 广东交通职业技术学院

Inventor： 郑浩然 ,  郭海龙 ,  赵晓芳 ,  肖心远 ,  张胜宾 ,  刘华珠 ,  张永栋 ,  邱蓉 ,  秦诗佳 ,  张文钟 ,  钟善兴 ,  蓝文辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，公开一种高品质因数介电可调陶瓷及其制备方法与应用。本发明的高品质因数介电可调陶瓷，其化学式为BaSnxTi1‑xO3，0.12≤x≤0.21，是通过混合粉料、压制成型、排胶、烧结等步骤制备得到，所得介电可调陶瓷的品质因数均高于500，可作为微波可调元件应用于相关领域。

公开(公告)号：CN117816517A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311327071.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 广东交通职业技术学院

Inventor： 郑浩然 ,  郭海龙 ,  赵晓芳 ,  肖心远 ,  秦诗佳 ,  张胜宾 ,  张永栋 ,  刘华珠 ,  邱蓉 ,  钟善兴 ,  蓝文辉 ,  张文钟

IPC: B05D7/24 ,  C25D5/00 ,  C25D21/12 ,  C25D7/00 ,  B05D7/04 ,  B05D1/02 ,  B05D7/00

Abstract: 本发明提供一种金属纳米薄膜及其制备方法，将SnF应用于金属纳米线的表面修饰。通过在PET基底上喷涂铜纳米线溶液，然后再进行电镀，在电镀后的金属纳米线上进行SnF包覆，形成一层包覆层，在保证较低的电阻率和较高透光率的同时，大大提高了铜纳米线薄膜的稳定性。三层复合薄膜的性能远优于未经处理的铜纳米线薄膜，通过调节包覆时间，可以获得最佳的铜纳米线基透明导电膜。