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公开(公告)号:CN118159039A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410281218.2
申请日:2024-03-12
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟多递质延时性释放的人工突触晶体管及其制备方法,所述晶体管由上至下依次为栅介质层、修饰层、纳米线薄膜以及衬底;源电极以及漏电极分别设于所述栅介质层的两侧,所述栅介质层的材料包括[PVDF‑HFP][EMIM‑TFSI]离子胶材料,所述修饰层的材料包括C60材料,所述纳米线薄膜的材料包括P3HT材料。本发明实现模拟了一种非延时的兴奋性神经递质的释放,并且模拟了另一种具有延时特性的兴奋性神经递质的释放。