一种离子接地极等效仿真模型的建立方法

    公开(公告)号:CN104699967A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510105193.1

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明涉及一种离子接地极等效仿真模型的建立方法,包括:测量大地的视在电阻率;反演获得大地的电阻率分层参数;将离子接地极样本埋设在大地中;测量离子接地极的接地电阻以及离子接地极一定范围内的地电位升并取平均值;将离子接地极等效成垂直接地极,其长度和半径为待定参数,以该垂直接地极接地电阻和地表电位分布与所得平均值误差最小作为目标函数;通过遗传算法确定最接近测量结果的垂直接地极长度和半径值,将其作为离子接地极等效成垂直接地极的参数;将相应为离子接地极的部分直接用等效的垂直接地极替代,进行接地特性分析。该方法能够与目前通用的接地计算软件结合,用于含有离子接地极的接地系统仿真计算,指导接地工程建设。

    基于自励磁吹的自然换流型直流断路器

    公开(公告)号:CN119297025A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411486497.2

    申请日:2024-10-23

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开提供了一种基于自励磁吹的自然换流型直流断路器,包括并联的主通流支路、转移支路;所述主通流支路包括若干串联设置的气体灭弧室和真空灭弧室,所述气体灭弧室和真空灭弧室与相应的操动机构组成快速机械开关;所述转移支路包括串联设置的励磁线圈和若干双向固定开关模块,其中,所述励磁线圈设置于所述气体灭弧室内,且当所述励磁线圈通流时,产生的磁场能够将所述气体灭弧室内产生的电弧的弧长拉长。在接收到分闸指令后,利用真空灭弧室和气体灭弧室内的触头分离产生电弧,电弧电压驱动电流从主通流支路向转移支路换流,励磁线圈流通电流后,使得电弧受到磁吹,拉长电弧弧长,提高电弧电压,驱动电流更快地从主通流支路转移到转移支路,能够快速自然换流。

    一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构

    公开(公告)号:CN117013817A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210493884.3

    申请日:2022-04-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明适用于换流器领域,提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构,所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路,所述缓冲电路和均压电路并联;所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路;所述电容电阻支路包括相互串联的缓冲电容和缓冲电阻;所述缓冲支路与缓冲电阻并联;所述缓冲支路在可关断器件关断时导通,将缓冲电阻短路。通过设置与缓冲电阻Rs并联的缓冲支路,在可关断器件关断时,通过控制缓冲支路的导通,对缓冲电阻造成短路,避免缓冲电阻上的电压过高,损坏可关断器件。

    一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法

    公开(公告)号:CN112909986B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202110164454.2

    申请日:2021-02-05

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法,所述子模块包括:上下管主电路,上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*;所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1;上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极;所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端;下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*;下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端;所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管,从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。

    功率半导体器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN116504825A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762806.3

    申请日:2023-06-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法,该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层;所述功率半导体器件包括有源区和终端区;有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述第二材料层的第二掺杂区、位于所述第三材料层的第三掺杂区、阳极区以及阴极区;终端区包括位于所述第一材料层的第一终端区以及位于所述第二材料层和所述第三材料层的第二终端区和第三终端区;其中,所述第一终端区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度,并且所述第二终端区和所述第三终端区的至少之一的表面高于对应的掺杂区的表面。本申请可提升功率半导体器件的阻断能力和最高运行结温。

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