一种用于固态开关的缓冲吸收电路

    公开(公告)号:CN109600032B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201811448944.X

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种用于固态开关的缓冲吸收电路,所述电路包括:缓冲支路和能量吸收支路,所述缓冲支路与所述能量吸收支路并联,且所述缓冲支路与所述能量吸收支路分别与固态开关并联,其中,所述缓冲支路包括缓冲电阻和缓冲电容,所述缓冲电阻和缓冲电容串联;所述能量吸收支路包括避雷器,所述能量吸收支路用于隔离电路故障以及吸收电路故障产生的能量。相比于现有技术,所述缓冲吸收电路降低了制造成本,避免了二极管等器件的选型困难,为固态开关安全运行提供切实可靠地保障。

    一种用于固态开关的缓冲吸收电路

    公开(公告)号:CN109600032A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811448944.X

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种用于固态开关的缓冲吸收电路,所述电路包括:缓冲支路和能量吸收支路,所述缓冲支路与所述能量吸收支路并联,且所述缓冲支路与所述能量吸收支路分别与固态开关并联,其中,所述缓冲支路包括缓冲电阻和缓冲电容,所述缓冲电阻和缓冲电容串联;所述能量吸收支路包括避雷器,所述能量吸收支路用于隔离电路故障以及吸收电路故障产生的能量。相比于现有技术,所述缓冲吸收电路降低了制造成本,避免了二极管等器件的选型困难,为固态开关安全运行提供切实可靠地保障。

    一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法

    公开(公告)号:CN113098457B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202110252175.1

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明提供一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法,所述采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块,所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得:A、对于所述半导体器件功率模块,以空芯可调电抗作为换流电抗器,调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值;B、反复增大所述空芯可调电抗的感值,直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡,确认此时所述空芯可调电抗的感值L;C、基于所述步骤B中得到的感值L,确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值,以设计所述带磁芯的饱和电抗器。本发明所实现的IGCT模块体积小,振荡抑制效果好,效率高。

    具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管及其制造方法

    公开(公告)号:CN109686786B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN201811615517.6

    申请日:2018-12-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管,依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极,还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极,该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构,进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路,抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应,拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。

    一种电气器件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110767643B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN201810827090.X

    申请日:2018-07-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种电气器件,所述电气器件包括:功率半导体元件,所述功率半导体元件的控制电极和电流电极成环形布置,且所述控制电极设置在环形外圈,所述电流电极设置在内圈;驱动模块,所述驱动模块包括至少一个开关元件,用于驱动所述功率半导体元件;一个或多个第一导电块,设置于所述功率半导体元件的一侧,用于提供开关元件到所述电流电极的连接;一个或多个弹性结构,所述弹性结构包括基座、辅助弹片以及弹簧。该电气器件具有换流回路面积小,换流回路杂散电感低,以及换流速度快的特点,且该电气器件中的弹性结构为导电块与电路板的接触面提供了压力,减小了接触电阻,并可以限制开关元件表面受到的压力上限值。

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