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公开(公告)号：CN114113226A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111341797.8
申请日：2021-11-12
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种确定新奇电子表面态存在的方法及其应用，其中，确定新奇电子表面态存在的方法包括以下步骤：测试原始样品的输运特性和磁阻特性；将直径不大于氩的惰性气体离子注入原始样品中，得到注入样品，原始样品中含有金属元素；测试注入样品的输运特性和磁阻特性，根据测试结果中输运特性呈现金属特性和磁阻特性在小场下存在尖峰判断原始样品存在新奇电子表面态。本发明开创了一种新的测试方法，无需在低温环境和原始样品具备运动自由度的条件下就可以完成对原始样品的测试，在降低测试成本的同时，减少测试对专业测试人员的依赖程度。
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公开(公告)号：CN112382665A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011207957.5
申请日：2020-11-03
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H01L23/373 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种氧化镓基MOSFET器件，其包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀微纳尺寸的光子晶体孔阵列，利用具有光子晶体效应的微纳孔结构来调控器件的散热效果，提高辐射带宽和辐射效率，从而提高散热效果。同时，本发明还在光子晶体孔内设置了高导热率半导体材料，进一步提高了器件的导热效率。本发明针对氧化镓导热性差的问题，通过对器件中导热和散热传输路径的双重优化，实现了有效降低器件结温的效果。
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公开(公告)号：CN112067402A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011007004.4
申请日：2020-09-23
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供了一种位错缺陷分析方法，涉及半导体材料位错分析技术领域。首先利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且缺陷区的氧化物薄层的厚度大于非缺陷区的氧化物薄层的厚度，然后将待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除氧化物薄层，以在缺陷区的位置形成缺陷坑，最后依据缺陷坑的数量与位置对待分析样品的位错缺陷进行分析。本申请提供的位错缺陷分析方法具有能够更加方便的实现位错缺陷分析的效果。
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公开(公告)号：CN114267764B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111617412.6
申请日：2021-12-27
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法，其中，高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED；设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本发明虽然在深紫外倒装LED上增设介质层，增加了深紫外倒装LED的厚度，但是，由于增设的介质层设在蓝宝石衬底的出光面上，且介质层的出光面经过粗化处理，使得深紫外倒装LED即使厚度增大，其出光效率也能够得到进一步提高；而且，由于介质层的硬度比蓝宝石低，其粗化难度和成本均得到降低。
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公开(公告)号：CN114300588B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111651524.3
申请日：2021-12-30
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
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公开(公告)号：CN114267764A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111617412.6
申请日：2021-12-27
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法，其中，高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED；设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本发明虽然在深紫外倒装LED上增设介质层，增加了深紫外倒装LED的厚度，但是，由于增设的介质层设在蓝宝石衬底的出光面上，且介质层的出光面经过粗化处理，使得深紫外倒装LED即使厚度增大，其出光效率也能够得到进一步提高；而且，由于介质层的硬度比蓝宝石低，其粗化难度和成本均得到降低。
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公开(公告)号：CN112420887A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011313184.9
申请日：2020-11-20
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供了一种深紫外LED器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该深紫外LED器件包括：衬底；位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层一侧的发光层；其中，发光层包括P型接触层，P型接触层的厚度为1～50nm；位于发光层一侧的N型电极与P型电极；其中，N型电极与P型电极呈距离设置。本申请提供的深紫外LED器件及其制作方法具有光电转换效率更高的优点。
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公开(公告)号：CN114113226B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111341797.8
申请日：2021-11-12
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种确定新奇电子表面态存在的方法及其应用，其中，确定新奇电子表面态存在的方法包括以下步骤：测试原始样品的输运特性和磁阻特性；将直径不大于氩的惰性气体离子注入原始样品中，得到注入样品，原始样品中含有金属元素；测试注入样品的输运特性和磁阻特性，根据测试结果中输运特性呈现金属特性和磁阻特性在小场下存在尖峰判断原始样品存在新奇电子表面态。本发明开创了一种新的测试方法，无需在低温环境和原始样品具备运动自由度的条件下就可以完成对原始样品的测试，在降低测试成本的同时，减少测试对专业测试人员的依赖程度。
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公开(公告)号：CN112736137B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202011645381.0
申请日：2020-12-31
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。
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公开(公告)号：CN114300588A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111651524.3
申请日：2021-12-30
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
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