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公开(公告)号：CN110635008A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN110635008B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN210325840U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921640968.5
申请日：2019-09-29
申请人： 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种全集成硅显示器中的反向发光器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本实用新型采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本实用新型适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118431165A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410466450.3
申请日：2024-04-18
申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本发明公开一种垂直纳米环栅互补MOS器件金属栅和隔离技术集成工艺设计，隔离技术包括在P型衬底形成N型埋层和P型埋层，然后生长N型外延等步骤。集成工艺设计包括衬底、N型埋层102、P型埋层101、N型外延、P型外延、高k栅介质层103、金属栅104、氧化薄膜105、多晶薄膜106、STI槽底部上下隔离P+注入107、VNMOS bulk端/VPMOS源端P+注入201、VNMOS源漏端/VPMOS bulk端N+注入202、器件‑金属层间ILD介质层203、钨塞204、VPMOS漏端P+注入205和金属互连薄膜206。本发明通过垂直纳米环栅金属栅dummy假栅技术与N型埋层‑P衬底隔离结构实现了工艺集成兼容，既降低了垂直纳米环栅VNMOS漏电极区的寄生电阻和电容，又降低了衬底噪声的影响，还有效提高了垂直纳米环栅器件的纵向隔离可靠性。
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