公开(公告)号：CN109517516A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811380494.5

申请日：2018-11-20

申请人： 广西大学 ,  广西南宁金铂洲材料有限公司

发明人： 李伟洲 ,  莫秋凤 ,  杨海娟 ,  谷凤媚 ,  陈泉志 ,  凌奎 ,  吕小雨 ,  韩相彬

IPC分类号： C09D175/08 ,  C09D7/62 ,  C09D5/08

CPC分类号： C09D175/08 ,  C09D5/08 ,  C09D7/62 ,  C08K9/04 ,  C08K9/02 ,  C08K3/346

摘要： 本发明公开了一种铈化膨润土改性水性聚氨酯涂料及其制备方法，将稀土金属离子Ce3+负载到经壳聚糖预处理后的膨润土上制备铈化膨润土，再将铈化膨润土水分散体作为改性填料分散到阴离子型脂肪族水性聚氨酯树脂中，辅以一定量的交联剂和助剂制备改性涂料。按质量百分比计，所述水性聚氨酯树脂30～60％，去离子水20～50％，铈化膨润土1～5％，交联剂1～5％，其它助剂0.2～2％。本发明制备的铈化膨润土改性水性聚氨酯涂料大大提高了水性聚氨酯涂层的附着力，且展现出较好的耐水性能及抗腐蚀性能，可适应较恶劣的腐蚀环境，在重防腐领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN109517516B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201811380494.5

申请日：2018-11-20

申请人： 广西大学 ,  广西南宁金铂洲材料有限公司

发明人： 李伟洲 ,  莫秋凤 ,  杨海娟 ,  谷凤媚 ,  陈泉志 ,  凌奎 ,  吕小雨 ,  韩相彬

IPC分类号： C09D175/08 ,  C09D7/62 ,  C09D5/08

摘要： 本发明公开了一种铈化膨润土改性水性聚氨酯涂料及其制备方法，将稀土金属离子Ce3+负载到经壳聚糖预处理后的膨润土上制备铈化膨润土，再将铈化膨润土水分散体作为改性填料分散到阴离子型脂肪族水性聚氨酯树脂中，辅以一定量的交联剂和助剂制备改性涂料。按质量百分比计，所述水性聚氨酯树脂30～60％，去离子水20～50％，铈化膨润土1～5％，交联剂1～5％，其它助剂0.2～2％。本发明制备的铈化膨润土改性水性聚氨酯涂料大大提高了水性聚氨酯涂层的附着力，且展现出较好的耐水性能及抗腐蚀性能，可适应较恶劣的腐蚀环境，在重防腐领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111521623A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010349864.X

申请日：2020-04-28

申请人： 广西大学

发明人： 王双宝 ,  董泽健 ,  韩相彬 ,  李伟洲 ,  沈培康

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/2005

摘要： 本发明公开了一种提高粉末样品透射电镜原位加热芯片制样成功率的方法，将Si3N4薄膜上团聚有粉末样品的原位加热芯片置于光学显微镜下，找到Si3N4薄膜的孔槽区域，然后在光学显微镜下利用微操作手将棉质纤维的一端缓慢移动到芯片的孔槽区域并与Si3N4薄膜接触；利用微操作手使棉质纤维在Si3N4薄膜上做水平来回摩擦运动，使薄膜脱离的团聚颗粒会自动吸附到纤维上，最终将Si3N4薄膜区域团聚的纳米粉末清除；调节微操作手将与芯片接触的棉质纤维移开，获得可重复利用的原位加热芯片。本发明使用的微操作手结合光学显微镜的方法能够使团聚于Si3N4薄膜的粉末样品被快速精确地移除，操作简单的同时减少了对Si3N4薄膜和芯片电极损坏的风险，有效提高了操作成功率，节省时间。

公开(公告)号：CN110788741A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911071208.1

申请日：2019-11-05

申请人： 广西大学

发明人： 王双宝 ,  韩相彬 ,  刘玉莹 ,  李伟洲

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/00 ,  G01N1/28 ,  G01N23/04 ,  G01N23/2005

摘要： 本发明公开了一种用于微米厚度透射电镜金属样品的精磨器，包括测微器、研磨托盘和载玻片，所述研磨托盘的纵向截面为工字型，测微器通过设在研磨托盘上的通孔与研磨托盘垂直连接，测微器末端与通孔形成放置样品的凹槽；所述的测微器为多个，对称分布于研磨托盘上；所述的载玻片在研磨托盘倒置时放置在凹槽的上方。本发明能够提高工作效率，简化操作工艺步骤，快速精确的调整水平和样品所需的厚度。

公开(公告)号：CN111521623B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010349864.X

申请日：2020-04-28

申请人： 广西大学

发明人： 王双宝 ,  董泽健 ,  韩相彬 ,  李伟洲 ,  沈培康

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/2005

摘要： 本发明公开了一种提高粉末样品透射电镜原位加热芯片制样成功率的方法，将Si3N4薄膜上团聚有粉末样品的原位加热芯片置于光学显微镜下，找到Si3N4薄膜的孔槽区域，然后在光学显微镜下利用微操作手将棉质纤维的一端缓慢移动到芯片的孔槽区域并与Si3N4薄膜接触；利用微操作手使棉质纤维在Si3N4薄膜上做水平来回摩擦运动，使薄膜脱离的团聚颗粒会自动吸附到纤维上，最终将Si3N4薄膜区域团聚的纳米粉末清除；调节微操作手将与芯片接触的棉质纤维移开，获得可重复利用的原位加热芯片。本发明使用的微操作手结合光学显微镜的方法能够使团聚于Si3N4薄膜的粉末样品被快速精确地移除，操作简单的同时减少了对Si3N4薄膜和芯片电极损坏的风险，有效提高了操作成功率，节省时间。

公开(公告)号：CN111650227A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010580400.X

申请日：2020-06-23

申请人： 广西大学

发明人： 王双宝 ,  魏波 ,  韩相彬 ,  刘玉莹

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N23/20058

摘要： 本发明公开一种块体金属样品的透射电镜原位加热芯片的制样方法，包括以下步骤：1）块体金属透射电镜样品获取；2）TEM成像记录；3）样品转移前的保护；4）样品的切割和转移；5）样品的清洗。本发明能减少传统金属样品的透射电镜原位加热芯片的制样步骤，节约制样时间和成本，提升制样的效率，避免FIB样品制备过程中，将样品用Pt焊接到微操作手时Pt原子沉积到样品表面，防止样品较薄时Ga离子注入样品而引起结构损伤。