公开(公告)号：CN116897409A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280016117.1

申请日：2022-02-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 杰思罗·塔诺斯 ,  巴加夫•斯里达尔•西特拉 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼 ,  叶怡利 ,  约书亚•阿伦•鲁布尼茨 ,  埃莉卡•陈 ,  索汉姆•桑杰•阿斯拉尼 ,  尼古劳斯·贝基亚里斯 ,  小道格拉斯·阿瑟·布彻格尔

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，一种方法包括：将气化的前驱物供应到处理容积中；从远程等离子体源供应包括离子和自由基的被激活元素；以第一工作周期使用RF源功率激励这些被激活元素以与该气化的前驱物反应，以将SiNHx膜沉积到设置在该处理容积中的基板上；从该远程等离子体源供应第一工艺气体，同时以不同于该第一工作周期的第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率以将该SiNHx膜转化为SiOx膜；供应由从该远程等离子体源供应的第二工艺气体和从该气体源供应的第三工艺气体形成的工艺气体混合物，同时以该第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率；以及对该基板进行退火。