公开(公告)号：CN116897409A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280016117.1

申请日：2022-02-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 杰思罗·塔诺斯 ,  巴加夫•斯里达尔•西特拉 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼 ,  叶怡利 ,  约书亚•阿伦•鲁布尼茨 ,  埃莉卡•陈 ,  索汉姆•桑杰•阿斯拉尼 ,  尼古劳斯·贝基亚里斯 ,  小道格拉斯·阿瑟·布彻格尔

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，一种方法包括：将气化的前驱物供应到处理容积中；从远程等离子体源供应包括离子和自由基的被激活元素；以第一工作周期使用RF源功率激励这些被激活元素以与该气化的前驱物反应，以将SiNHx膜沉积到设置在该处理容积中的基板上；从该远程等离子体源供应第一工艺气体，同时以不同于该第一工作周期的第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率以将该SiNHx膜转化为SiOx膜；供应由从该远程等离子体源供应的第二工艺气体和从该气体源供应的第三工艺气体形成的工艺气体混合物，同时以该第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率；以及对该基板进行退火。

公开(公告)号：CN101418438B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810171160.7

申请日：2008-10-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  叶怡利

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56

摘要： 本发明提供了一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法。所述方法包括将含硅前体引入到包含基板的沉积室中，其中含硅前体包括至少两个硅原子。所述方法还包括通过远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体，所述远程等离子体系统设置在沉积室外部。而且，所述方法包括将自由基氮前体引入到沉积室中，在所述沉积室中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。而且，所述方法包括在蒸汽气氛中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽气氛包括水和酸性蒸汽。

公开(公告)号：CN115087759A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080096397.2

申请日：2020-12-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  陈秀·克里斯·莹 ,  叶怡利 ,  埃莉卡·陈 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/26

摘要： 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。