公开(公告)号：CN116368599A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069574.2

申请日：2021-09-15

申请人： 应用材料公司

发明人： A·爱丁 ,  程睿 ,  杨毅 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。

公开(公告)号：CN116368598A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180062366.X

申请日：2021-07-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 王慧圆 ,  R·库斯特拉 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  J·D·平松

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。

公开(公告)号：CN114846578A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080090639.7

申请日：2020-12-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 戚波 ,  Z·沈 ,  A·玛里克

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/38

摘要： 示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在一些实施例中，含硼材料可基本上全部由硼组成。在一些实施例中，方法可进一步包括：将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含碳前驱物和/或含氮前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、碳和/或氮中的至少一者。

公开(公告)号：CN116507756A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180071902.2

申请日：2021-10-15

申请人： 应用材料公司

发明人： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： C23C16/40

摘要： 描述了在基板上沉积含硅膜的方法。所述方法包括将处理腔室加热至大于或等于200℃的温度；将处理腔室维持在小于或等于300托的压力；将硅前驱物与氧化亚氮(N2O)共同流入处理腔室；以及在基板上沉积共形含硅膜。含硅膜具有在从约3.8至约4.0的范围内的介电常数(k值)，具有在1mA/cm2的漏电流下的大于8MV/cm的击穿电压，并且具有在2MV/cm下的小于1nA/cm2的漏电流。

公开(公告)号：CN116348993A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180055191.X

申请日：2021-08-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  T·越泽 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/321

摘要： 本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。

公开(公告)号：CN116868311A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280011443.3

申请日：2022-01-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。

公开(公告)号：CN117751425A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280051784.3

申请日：2022-06-16

申请人： 应用材料公司

发明人： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  越泽武仁 ,  戚波

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/38 ,  H01L21/033

摘要： 本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，以及使第一工艺气体流入处理空间中，第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiHU更高的分子量。所述工艺进一步包括使第二工艺气体流入处理空间中，第二工艺气体包含含硼物质，以及在沉积条件下在图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。

公开(公告)号：CN116568859A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082876.3

申请日：2021-12-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： C23C16/40

摘要： 公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN116157897A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052806.3

申请日：2021-07-21

申请人： 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

发明人： B·布扬 ,  Z·沈 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  X·王 ,  M·萨利

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 示例性处理方法可包括使第一沉积前驱物流入基板处理区域中以形成初始化合物层的第一部分。第一沉积前驱物可包括醛反应性基团。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第一沉积前驱物的第一沉积流出物。所述方法可包括使第二沉积前驱物流入基板处理区域中。第二沉积前驱物可包括胺反应性基团，并且胺反应性基团可与醛反应性基团反应以形成初始化合物层的第二部分。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第二沉积前驱物的第二沉积流出物。所述方法可包括使初始化合物层退火以在基板的表面上形成经退火的含碳材料。

公开(公告)号：CN115362528A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180024620.7

申请日：2021-02-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/50

摘要： 本文公开无氢(低H)二氧化硅层。一些实施例提供用于使用无氢的硅前驱物和无氢的氧源来形成低H层的方法。一些实施例提供用于调节低H二氧化硅膜的应力轮廓的方法。进一步，本公开内容的一些实施例提供在退火之后展现减少的堆叠弓曲的氧化物氮化物堆叠。