-
公开(公告)号：CN110121761B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780081080.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保罗·麦克休 , 布里杰·霍纳 , 马文·路易斯·伯恩特 , 托马斯·H·奥伯莱特纳 , 布莱恩·K·埃格特尔 , 理查德·W·普拉维达尔 , 安德鲁·安滕 , 亚当·麦克鲁尔 , 兰迪·哈里斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/66
Abstract: 润湿半导体基板的方法，可包括于容纳有所述半导体基板的处理腔室中形成受控的气体氛围。半导体基板可限定多个特征，其中可包括通孔。所述方法可包括使润湿剂流入处理腔室。腔室压力可维持在低于约100kPa。所述方法可亦包括润湿限定于所述基板中的所述多个特征。
-
公开(公告)号：CN109478499A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046110.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 艾里克·J·伯格曼 , 约翰·L·克洛克 , 保罗·麦克休 , 斯图亚特·拉奈 , 理查德·W·普拉维达尔
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109478499B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780046110.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 艾里克·J·伯格曼 , 约翰·L·克洛克 , 保罗·麦克休 , 斯图亚特·拉奈 , 理查德·W·普拉维达尔
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
-
公开(公告)号：CN112074625A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980024457.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于清洁电镀系统部件的系统，可包括电镀设备，其中电镀设备包括电镀浴槽。电镀设备可包括在电镀浴槽的上方延伸的清洗框架。清洗框架可包括缘部(rim)，缘部沿着电镀浴槽的上表面的边缘延伸，并在缘部与电镀浴槽的上表面之间界定清洗通道(rinsing channel)。电镀设备也可包括清洗组件，清洗组件包括可从凹入的第一位置转移至第二位置中的防溅件(splash guard)，此第二位置至少部分延伸穿过电镀浴槽的通口(access)。清洗组件也可包括从清洗框架延伸的流体喷嘴(fluid nozzle)。
-
公开(公告)号：CN110199381B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780084023.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 艾里克·J·伯格曼 , 约翰·L·克洛克 , 保罗·麦克休 , 斯图亚特·拉奈 , 理查德·W·普拉维达尔
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 干燥半导体基板的方法可包括施加干燥剂至半导体基板，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
-
公开(公告)号：CN110199381A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201780084023.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 艾里克·J·伯格曼 , 约翰·L·克洛克 , 保罗·麦克休 , 斯图亚特·拉奈 , 理查德·W·普拉维达尔
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 干燥半导体基板的方法可包括施加干燥剂至半导体基板，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
-
公开(公告)号：CN110121761A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780081080.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保罗·麦克休 , 布里杰·霍纳 , 马文·路易斯·伯恩特 , 托马斯·H·奥伯莱特纳 , 布莱恩·K·埃格特尔 , 理查德·W·普拉维达尔 , 安德鲁·安滕 , 亚当·麦克鲁尔 , 兰迪·哈里斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/66
Abstract: 润湿半导体基板的方法，可包括于容纳有所述半导体基板的处理腔室中形成受控的气体氛围。半导体基板可限定多个特征，其中可包括通孔。所述方法可包括使润湿剂流入处理腔室。腔室压力可维持在低于约100kPa。所述方法可亦包括润湿限定于所述基板中的所述多个特征。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.017 seconds)
