公开(公告)号：CN102301451A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006449.9

申请日：2010-04-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·L·瑞勒 ,  毛瑞斯·E·艾华特 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3447

摘要： 本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中，提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域，其中该准直器具有多个延伸贯穿其间的孔口，且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域的孔口高的深宽比。

公开(公告)号：CN107039230A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710120243.2

申请日：2010-04-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·L·瑞勒 ,  毛瑞斯·E·艾华特 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/35

摘要： 本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中，提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域，其中该准直器具有多个延伸贯穿所述准直器的孔口，且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域的孔口高的深宽比。

公开(公告)号：CN102007572B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980113536.1

申请日：2009-04-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·李·瑞勒 ,  基斯·A·米勒 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441

摘要： 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。

公开(公告)号：CN102007572A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113536.1

申请日：2009-04-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·李·瑞勒 ,  基斯·A·米勒 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441

摘要： 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。

公开(公告)号：CN302497400S

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201230349250.8

申请日：2012-07-25

申请人： 应用材料公司

设计人： 阿施施·高尔 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

摘要： 1.本外观设计产品的名称：沉积室内衬。2.本外观设计产品的用途：用于半导体加工/制造设备中的一个部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于各视图所示的产品形状和构造。4.左、右、后视图与主视图相同，故省略。5.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。

公开(公告)号：CN302578852S

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201230349249.5

申请日：2012-07-25

申请人： 应用材料公司

设计人： 阿施施·高尔 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

摘要： 1．本外观设计产品的名称：沉积室覆盖环。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于半导体加工/制造设备中的一个部件。3．本外观设计产品的设计要点：在于各视图所示的产品形状和构造。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．省略视图：左、右、后视图与主视图相同，故省略。