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公开(公告)号:CN107208260B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201580074334.6
申请日:2015-01-30
申请人: 三菱综合材料株式会社
CPC分类号: C23C14/32 , B23B27/14 , B23C5/202 , B23C2200/36 , B23P15/28 , C23C14/345 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C14/568 , C23C16/4588 , C23C16/54
摘要: 本发明的成膜装置具备:成膜室,具有在被成膜物上形成涂膜的成膜区域;输送装置,输送支撑被成膜物的输送载体;及偏置电源,经由输送载体对被成膜物施加偏置电压,在输送载体上以竖立姿势沿载体输送方向配置有支撑被成膜物并且绕轴旋转的多个杆,在杆的外周面上设置有朝向径向外侧突出的突出部件,在成膜室的壁面经由绝缘部件设置有干涉部件,所述干涉部件挂住在成膜室内移动的输送载体的突出部件以使杆绕轴旋转,干涉部件与偏置电源电连接。
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公开(公告)号:CN109562985A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201780049022.9
申请日:2017-08-10
申请人: 康宁股份有限公司
IPC分类号: C03C17/00 , C03C23/00 , C03C27/06 , C23C14/50 , H01L21/683
CPC分类号: C23C14/50 , C03C17/002 , C03C23/0075 , C03C27/06 , C03C2218/30 , C23C14/24 , H01L21/6715 , H01L21/6831 , H01L21/68785 , H02N13/00
摘要: 公开了用于利用真空沉积工艺涂覆玻璃基材的夹持设备和方法。在一个或多个实施方式中,所述夹持设备包括静电卡盘(ESC)、设置在ESC上的载体,其中,所述载体包括毗邻ESC的第一表面和相对的第二表面,所述第二表面用于与玻璃基材的第三表面形成范德华粘结,而无需在与第三表面相对的玻璃基材的第四表面上施加机械力。在一个或多个实施方式中,所述方法包括:将载体和玻璃基材设置在ESC上,以使载体在玻璃基材和ESC之间,从而形成夹持组件;在载体与玻璃基材之间形成范德华粘结;以及将涂层真空沉积在玻璃基材上。
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公开(公告)号:CN109023303A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201811031909.8
申请日:2016-02-13
申请人: 恩特格里斯公司
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号: C23C28/044 , C23C14/243 , C23C14/50 , C23C16/042 , C23C16/403 , C23C16/404 , C23C16/405 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C16/56 , C23C28/042
摘要: 本申请描述了一种衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及一种在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法。在各种应用中,所述衬底部分包含金属表面,所述金属表面易于在其上形成此金属的氧化物、氮化物、氟化物或氯化物,其中所述金属表面经配置以在使用中与气体、固体或液体接触,所述气体、固体或液体与所述金属表面进行反应以形成对所述衬底制品、结构、材料或设备有害的反应产物。所述金属表面涂覆有保护涂层,所述保护涂层防止所述经涂覆表面与所述反应性气体进行反应及/或以其它方式改进所述衬底制品或设备的电性质、化学性质、热性质或结构性质。描述涂覆所述金属表面及用于选择所利用的涂层材料的各种方法。
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公开(公告)号:CN108940769A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810312103.X
申请日:2018-04-09
申请人: 福特全球技术公司
发明人: 布鲁诺·阿尔维斯
CPC分类号: C23C14/223 , B05C3/02 , B22F3/1055 , B22F3/26 , B22F2202/01 , B22F2998/10 , B29B15/10 , B29B15/125 , B29C64/10 , B29C64/205 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C23C14/50 , C23C16/442 , B05D1/18 , B05D3/0486
摘要: 本发明提供了一种浸渍方法,该浸渍方法包括以下步骤:提供待浸渍的工件,将工件放置在容器内的浸渍剂浴相中,以及在浸渍周期期间在容器内进行振动体的振荡运动。振动体通过作用在浴相上而在浴相内产生振荡压力变化。该方法还包括在浸渍周期之后从浴相中移除工件。
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公开(公告)号:CN105026611B
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201380073537.4
申请日:2013-02-25
申请人: 应用材料公司
CPC分类号: C23C14/568 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要: 描述一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置。所述装置包括:真空腔室;运输系统,其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于内联沉积;第一支撑件,所述第一支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第一旋转溅射阴极,其中提供用于沉积第一材料的第一沉积区;第二支撑件,所述第二支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第二旋转轴线旋转的第二旋转溅射阴极,其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区,其中所述第一旋转轴线和所述第二旋转轴线的彼此相距距离为700mm或更小;以及分离器结构,所述分离器结构介于所述第一旋转轴线与所述第二旋转轴线之间,适于接收朝向所述第二沉积区溅射的所述第一材料以及朝向所述第一沉积区溅射的所述第二材料,其中装置被配置成用来沉积包括所述第一材料的层以及所述第二材料的后续层的所述层堆叠。
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公开(公告)号:CN108359957A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810153580.6
申请日:2011-10-07
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C23C14/56
CPC分类号: C23C14/50 , C23C14/3407 , C23C14/564 , C23C16/4585 , H01L21/68735
摘要: 本发明涉及用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘。本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件,以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言,此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地减少它们在处理期间对基板周围的电场的影响。
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公开(公告)号:CN108330456A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810097176.1
申请日:2018-01-31
申请人: 北京大学深圳研究生院
CPC分类号: C23C14/352 , C23C14/3485 , C23C14/50 , C23C14/548
摘要: 本申请公开了一种高通量材料制备的装置及其应用。本申请的装置,包括基片台、材料共混区、基片台移动系统、溅射源和溅射电源;基片台上安装有若干个可组装延伸的基片单元;溅射源包括若干个不同靶材料的溅射阴极,各溅射阴极独立控制,使用时,所有溅射阴极的束流汇集于材料共混区;材料共混区为不同靶材料的溅射材料的混合区域;基片台移动系统控制基片台移动,使基片单元依序通过材料共混区,进行磁控溅射。本申请的装置,可以实现不同材料按不同比例沉积,从而制备出一系列的新材料,并且可以实现持续的高通量生产,极大的方便了新材料的研发以及材料基因组材料库建库。
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公开(公告)号:CN108220904A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810004401.2
申请日:2018-01-03
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
发明人: 白清云
摘要: 本发明提供了一种接触板及蒸镀设备,属于显示技术领域。其中,接触板,应用于蒸镀设备中,用于对待蒸镀基板进行支撑,所述接触板包括底板和设置在所述底板上的多个高度相同的支撑部。本发明的技术方案能够保证在蒸镀源加热过程中待蒸镀基板良好散热的前提下实现对白点显示不良的改善。
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公开(公告)号:CN108203809A
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201711303507.4
申请日:2017-12-08
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01J37/3476 , C23C14/0652 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01J37/32715 , H01J37/3402 , H01J37/3467 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , C23C14/0036
摘要: 提供一种溅射装置以及溅射方法,能够稳定地形成高品质的膜。溅射装置具备能够在内部相互对置地配置靶材和基板的真空腔、能够与靶材电连接的直流电源、以及将从直流电源流到靶材的电流脉冲化的脉冲化单元,在真空腔内生成等离子体从而在基板上形成薄膜,溅射装置还具备:电流计,其对从直流电源流到脉冲化单元的电流进行测量;电源控制器,其对直流电源进行反馈控制,使得由电流计测量的电流值成为给定值;以及脉冲控制器,其对脉冲化单元指示与电源控制器对直流电源的控制周期错开的脉冲周期。
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