用于半导体加工的高热量损失加热器与静电卡盘

    公开(公告)号:CN116490964A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202180072311.7

    申请日:2021-10-20

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 示例性基板支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体,所述支撑表面限定基板座。基板支撑表面可包括介电涂层。基板支撑组件可包括支撑杆,所述支撑杆与静电卡盘主体耦接。基板支撑组件可包括冷却毂,所述冷却毂定位在支撑杆的基部下方并且与冷却流体源耦接。静电卡盘主体可限定与冷却流体源连通的至少一个冷却通道。基板支撑组件可包括加热器,所述加热器嵌入静电卡盘主体内。基板支撑组件可包括AC电源棒,所述AC电源棒延伸穿过支撑杆并与加热器电耦接。基板支撑组件可包括多个空隙,所述多个空隙形成在至少一个冷却通道和加热器之间的静电卡盘主体内。

    高温喷头的制造
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117296123A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202280032758.6

    申请日:2022-04-04

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 示例性半导体处理腔室喷头包括内核心区域。内核心区域可以界定多个孔。喷头可以包括围绕所述内核心区域的外周边设置的外核心区域。外核心区域可以界定环形通道。喷头可以包括设置在环形通道内的加热元件。喷头可以包括围绕外核心区域的外周边设置的环形衬垫。内核心区域和外核心区域可以包括铝合金。环形衬垫可以具有比铝合金更低的热传导率。

    静电卡盘的实时偏压检测和校正
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116529418A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202180080872.1

    申请日:2021-10-17

    IPC分类号: C23C16/458

    摘要: 一种方法减少了由静电卡盘的两个电极施加至设置在卡盘顶部的基板的卡紧力的差异。所述方法包括将初始卡紧电压提供至两个电极中的每一者,以及测量提供至两个电极中的至少第一电极的初始电流。所述方法进一步包括启动影响基板的DC电压的工艺,随后测量提供至至少第一电极的经修改电流,以及至少基于初始电流和经修改电流确定两个电极中的选定一者的经修改卡紧电压,这将减少整个基板上的卡紧力不平衡。所述方法还包括将经修改卡紧电压提供至两个电极中的选定一者。

    具有最小RF损耗的多区加热器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117616550A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202280047584.0

    申请日:2022-06-28

    摘要: 示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体,所述基板支撑表面限定基板座。基板支撑组件可以包括与静电卡盘主体耦接的支撑柄。基板支撑组件可以包括嵌入在静电卡盘主体内的上部加热器。上部加热器可包括中心加热器区,以及与中心加热器区同心的一个或多个环形加热器区。基板支撑组件可以包括在上部加热器下方的位置处嵌入在静电卡盘主体内的下部加热器。下部加热器可以包括多个弧形加热器区域。

    高温双极静电卡盘
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116457931A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202180076870.5

    申请日:2021-10-08

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括至少两个分离的网格区段,其中每个网格区段由圆扇形表征。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可包括穿过第一双极电极的至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。