公开(公告)号：CN103430286A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011914.7

申请日：2012-02-03

申请人： 应用材料公司

发明人： T·E·萨托 ,  D·汤普森 ,  J·W·安西斯 ,  V·佐泊考伏 ,  S·文哈弗贝克 ,  R·古克 ,  M·马哈贾尼 ,  P·M·刘 ,  M·J·贝文

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312

摘要： 描述了制备供后续薄膜形成工艺所用的基板的方法。亦描述制备供后续薄膜形成工艺所用的基板，且不将基板浸入水溶液中的方法。所描述的工艺包括将基板置入工艺腔室中，基板具有热氧化物表面，所述热氧化物表面基本上不具有活性的表面末端。将热氧化物表面暴露至低于基板温度下的饱和蒸汽压的水的分压下，使基本上不具有活性表面末端的致密的热氧化物转换为具有羟基表面末端的表面。此可在路易士碱（如氨）存在的情况下发生。