公开(公告)号：CN108538752A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810181692.2

申请日：2018-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 劳拉·郝勒查克 ,  柴塔尼亚·A·普拉萨德 ,  埃姆雷·库瓦利奇

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B04B7/04 ,  F01L9/04 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67098

摘要： 本文描述的实施方式大体涉及具有用于预加热处理气体的旋转器盖的处理设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区的侧壁和底壁。所述腔室还包括设置在所述腔室主体的内部处理区中的基板支撑件、环支撑件和旋转器盖。所述旋转器盖设置在环支撑件上。所述旋转器盖是不透明石英材料。所述旋转器盖有利地提供更有效的处理气体加热，由能够承受处理条件同时提供更有效和均匀的处理的材料构成，且具有低CTE从而减少由于处理期间过度膨胀而导致的颗粒污染。

公开(公告)号：CN105869992A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610197936.7

申请日：2016-03-31

申请人： 国网山东省电力公司夏津县供电公司

发明人： 滕昭新

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明涉及一种新型铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质的制备方法，其特征在于：清洗硅片，对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积五氧化二钽（Ta2O5）、氧化硅（SiO2）和铪氧氮（HfON）叠层栅介质，其中，Ta2O5位于叠层栅介质的上下界面处，SiO2位于HfON和Ta2O5之间；对淀积了叠层栅介质的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火，形成铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质；在退火后的硅片上形成金属栅；背面溅铝与合金。本发明通过在栅介质中引入Ta可以获得具有较高介电常数的栅介质材料，解决随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题，其具有更大的金属栅功函数调整能力。

公开(公告)号：CN103031530B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC分类号： C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN102498561B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200980161479.4

申请日：2009-09-17

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松下大介 ,  加藤弘一 ,  三谷祐一郎

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7926 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

摘要： 本发明可以抑制由半导体层与绝缘膜的界面态密度增加所引起的迁移率和可靠性的降低。包括以下工序：形成由控制栅电极和层间绝缘膜交替层叠而成的层叠结构的工序；沿上述控制栅电极和上述层间绝缘膜的层叠方向形成贯通上述层叠结构的贯通孔的工序；形成覆盖上述贯通孔的内侧表面的第1绝缘膜的工序；形成覆盖上述第1绝缘膜的内侧表面的电荷蓄积部的工序；形成覆盖上述电荷蓄积部的内侧表面的第2绝缘膜的工序；形成覆盖上述第2绝缘膜的内侧表面的半导体层的工序；以及，在含氧气氛中、在600℃以下的温度下进行热处理，以使上述半导体层与上述第2绝缘膜的界面被氧化的工序。

公开(公告)号：CN101197279A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710126359.3

申请日：2007-06-29

申请人： 茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)

发明人： 董忠 ,  陈计良

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28273

摘要： 本发明涉及形成用于快闪装置的均匀穿隧氧化层的方法和所得结构。薄氧化物膜是生长在硅上，该硅首先经气态或液态氯离子源处理。所得氧化物的厚度具有比在未经处理的硅上所得的更均匀，因此，相较于之前未经处理的结构所需的，其可使所给予的电荷储存在一浮置栅上较长的时间，该浮置栅形成于该氧化物上。

公开(公告)号：CN1357906A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01137420.9

申请日：2001-11-09

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： A·L·P·罗通达龙

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

摘要： 本发明揭示一种在硅表面和介质层之间形成平滑界面的方法,包括在硅上表面上形成介质层前,在硅衬底的上表面(170)上形成薄非晶区域(180)。

公开(公告)号：CN104109846B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410110733.0

申请日：2014-03-24

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 尾崎贵志 ,  堀田英树

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02211 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题在于形成膜厚均匀性优异的薄膜。通过如下手段解决本发明的课题：在对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底供给含氧气体和含氢气体而对衬底的表面进行前处理后，通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了前处理的衬底上形成薄膜，所述循环包含对处理室内的衬底供给原料气体的工序、和对处理室内的衬底供给反应气体的工序。

公开(公告)号：CN107660307A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680028403.4

申请日：2016-06-01

申请人： 应用材料公司

发明人： P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283

摘要： 本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或多个侧壁，该一或多个侧壁可包含氧化硅或氮化硅材料。沉积表面可本质上由硅构成，且选择性沉积的氧化硅层可通过使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在该图案化特征上流动而形成，其中该氧化硅层选择性地沉积在基板的沉积表面上。

公开(公告)号：CN103474344B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310406951.4

申请日：2010-06-04

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 冈田充弘 ,  东条行雄

IPC分类号： H01L21/314 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26

CPC分类号： H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

摘要： 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。

公开(公告)号：CN102301464B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201080006003.6

申请日：2010-03-17

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 沃尔特·施瓦岑贝格 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  帕特里克·雷诺 ,  卢多维克·埃卡尔诺 ,  埃里克·内雷

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31662

摘要： 本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间埋入的氧化层(3)，该方法包括应用修整步骤，所述修整步骤的连续步骤是：a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA，b)对有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤，c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA，d)对经历步骤c)的所述基板(1′)的所述有源层进行牺牲氧化的步骤，该方法的特征在于，进行牺牲氧化的步骤b)去除第一氧化物厚度(5)，并且进行牺牲氧化的步骤d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。