-
公开(公告)号：CN108140578B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201680061712.1
申请日：2016-10-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。
-
公开(公告)号：CN103415912A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012307.2
申请日：2012-03-01
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/45527
摘要： 本发明提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法，所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元。每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器，所述多个狭长气体喷射器包括至少两个第一反应气体喷射器及至少一个第二反应气体喷射器，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕所述至少一个第二反应气体喷射器。本发明也提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法，所述气体分配板具有多个气体喷射器单元。
-
公开(公告)号：CN109477214A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044398.0
申请日：2017-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/36 , C23C16/34 , C23C16/32 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/762 , H01L21/02
摘要： 描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。
-
公开(公告)号：CN104350175B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380030127.1
申请日：2013-06-28
申请人： 应用材料公司
发明人： D·汤普森
CPC分类号： C23C16/404
摘要： 本发明描述在基板上进行化学反应以沉积金属膜的方法。该方法包括：使基板暴露于含有第二族金属的第一反应物气流及含有卤化物的第二反应物气流下，以在基板上形成含有金属卤化物的第一层；使该基板暴露于含有氧化剂的第三反应物气体下，以在基板上形成含有金属过氧化物或金属氢氧化物的第二层；使该基板暴露于热或等离子体下以将金属过氧化物或金属氢氧化物转化为金属氧化物。该方法可重复进行，藉以形成不含任何金属碳酸盐杂质的金属氧化物膜。
-
公开(公告)号：CN104169461A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013929.1
申请日：2013-03-11
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/45548 , C23C16/483
摘要： 在此提供的原子层沉积的设备与方法包含气体分配板材与至少一激光源，该激光源邻近该气体分配板材发射激光束，以活化来自该气体分配板材的气相物种。同样提供具有诸细长气体注入器端口的诸气体分配板材，其中沿着该等细长气体注入器的长度引导该至少一激光束。
-
公开(公告)号：CN108140578A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061712.1
申请日：2016-10-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224
摘要： 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。
-
公开(公告)号：CN104350175A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380030127.1
申请日：2013-06-28
申请人： 应用材料公司
发明人： D·汤普森
CPC分类号： C23C16/404 , C23C16/44 , C23C16/06
摘要： 本发明描述在基板上进行化学反应以沉积金属膜的方法。该方法包括：使基板暴露于含有第二族金属的第一反应物气流及含有卤化物的第二反应物气流下，以在基板上形成含有金属卤化物的第一层；使该基板暴露于含有氧化剂的第三反应物气体下，以在基板上形成含有金属过氧化物或金属氢氧化物的第二层；使该基板暴露于热或等离子体下以将金属过氧化物或金属氢氧化物转化为金属氧化物。该方法可重复进行，藉以形成不含任何金属碳酸盐杂质的金属氧化物膜。
-
公开(公告)号：CN104900513A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510098387.3
申请日：2015-03-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。
-
公开(公告)号：CN103430286A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280011914.7
申请日：2012-02-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/0272 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/02312
摘要： 描述了制备供后续薄膜形成工艺所用的基板的方法。亦描述制备供后续薄膜形成工艺所用的基板，且不将基板浸入水溶液中的方法。所描述的工艺包括将基板置入工艺腔室中，基板具有热氧化物表面，所述热氧化物表面基本上不具有活性的表面末端。将热氧化物表面暴露至低于基板温度下的饱和蒸汽压的水的分压下，使基本上不具有活性表面末端的致密的热氧化物转换为具有羟基表面末端的表面。此可在路易士碱（如氨）存在的情况下发生。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.025 秒)
