公开(公告)号：CN105556643B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201480051104.3

申请日：2014-07-29

申请人： 应用材料公司

发明人： M-M·凌 ,  S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  B·J·霍华德

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

摘要： 提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在个实施例中,用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤:通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺,所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层;以及通过将化学蚀刻气体混合物供应至处理腔室来对所述基板执行化学蚀刻工艺,其中化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮,其中化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层。

公开(公告)号：CN105556643A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051104.3

申请日：2014-07-29

申请人： 应用材料公司

发明人： M-M·凌 ,  S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  B·J·霍华德

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

摘要： 提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在一个实施例中，用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤：通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺，所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层；以及通过将化学蚀刻气体混合物供应至处理腔室来对所述基板执行化学蚀刻工艺，其中化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮，其中化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层。