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公开(公告)号：CN105637453A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056797.5
申请日：2014-10-17
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G06F3/03547 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K2201/0137 , H05K2201/0145
Abstract: 描述了一种用于触摸面板的层堆叠(100；200)。所述层堆叠包括：基板(110；210)，包括用于在基板上沉积一个或更多个层的聚合物；图案化的透明导电氧化物(TCO)层(160；260)，提供在所述基板(110；210)上方，所述图案化的TCO层包含TCO区域以及所述TCO区域之间的间隙；第一电介质材料(170；270)，提供于所述图案化TCO层(160；260)的间隙中；以及电介质层(180；280)，直接地沉积在TCO层(160；260)的TCO区域上且直接地沉积在所述第一电介质材料(170；270)上。此外，描述了一种包括层堆叠的触摸面板以及一种用于形成触摸面板的层堆叠的方法。
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公开(公告)号：CN105247100A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480029903.0
申请日：2014-03-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/54 , C23C14/56 , C23C16/509 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/545 , C23C14/562 , C23C16/44 , C23C16/4409 , C23C16/45519 , C23C16/509
Abstract: 描述一种用于处理柔性基板的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有第一腔室部分、第二腔室部分以及第三腔室部分；退绕轴和缠绕轴，所述退绕轴用于支撑待处理的所述柔性基板，所述缠绕轴支撑具有薄膜沉积在其上的柔性基板，其中所述退绕轴和所述缠绕轴被布置在所述第一腔室部分中；至少一个间隙闸门，用于使所述第一腔室部分与所述第二腔室部分分离，其中所述间隙闸门被配置成使得所述柔性基板可从其中移动通过并且所述间隙闸门可打开和关闭以便提供真空密封；涂布滚筒，所述涂布滚筒具有旋转轴和弯曲的外表面，用于沿着所述弯曲的外表面引导所述基板通过第一真空处理区域以及至少一个第二真空处理区域，其中所述涂布滚筒的第一部分被设置在所述第二腔室部分中，并且所述涂布滚筒的剩余部分被设置在所述第三腔室部分中；对应于所述第一处理区域的第一处理站以及对应于所述至少一个第二真空处理区域的至少一个第二处理站，其中所述第一处理站和所述第二处理站各自包括用于提供真空连接的凸缘部分。另外，所述第三腔室部分具有凸形腔室壁部分，其中所述第三腔室部分具有设置在其中的至少两个开口，具体来说，其中所述至少两个开口基本上平行于所述凸形腔室壁部分；并且其中所述第一处理站和所述至少一个第二处理站被配置成接收在所述至少两个开口中，其中所述第一处理站和所述第二处理站的所述凸缘部分提供与所述第三腔室的真空密封连接。
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公开(公告)号：CN104968833B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201480006962.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 描述了一种沉积薄膜于基板上的设备。设备包括基板支撑件，具有外表面，引导基板沿基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；对应第一处理区域的第一沉积源与对应该至少一第二真空处理区域的至少一第二沉积源，其中至少第一沉积源包括电极，具有表面，其中电极的表面相对基板支撑件的表面；处理气体入口及处理气体出口，其中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表面的数个相对侧；及至少一分离气体入口，具有一或数个分离气体入口开口，其中该一或数个分离气体入口开口至少提供于电极的表面的该些相对侧之一，使得处理气体入口及/或处理气体出口提供于该一或数个分离气体入口开口及电极的表面间。设备更包括一或数个真空法兰，提供至少一其它的气体出口于第一沉积源及该至少一第二沉积源间。
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公开(公告)号：CN104968831B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480006989.5
申请日：2014-01-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了一种用于涂布薄膜于柔性基板上的设备。此设备包括涂布鼓轮及气体分离单元，涂布鼓轮具有外表面，用于导引柔性基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，柔性基板可通过涂布鼓轮的外表面与气体分离单元之间的所述狭缝，其中气体分离单元适用于通过调整气体分离单元的位置来控制在第一处理区域与第二处理区域之间的流体连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106415873B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201480078901.0
申请日：2014-05-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。
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公开(公告)号：CN106170584B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480077770.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/545 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/4405
Abstract: 根据本公开，提供一种用于处理柔性基板的设备。此设备包括处理腔室、涂布滚筒(110)、一个或更多个沉积源以及快门装置(200)，所述涂布滚筒在处理腔室内并配置成支撑柔性基板，所述一个或更多个沉积源布置在处理腔室中，所述快门装置设置在处理腔室内并配置成在涂布滚筒与一个或更多个沉积源之间移动屏蔽箔(300)。
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公开(公告)号：CN106415873A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480078901.0
申请日：2014-05-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和
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公开(公告)号：CN106170584A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201480077770.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/545 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/4405
Abstract: 根据本公开，提供一种用于处理柔性基板的设备。此设备包括处理腔室、涂布滚筒(110)、一个或更多个沉积源以及快门装置(200)，所述涂布滚筒在处理腔室内并配置成支撑柔性基板，所述一个或更多个沉积源布置在处理腔室中，所述快门装置设置在处理腔室内并配置成在涂布滚筒与一个或更多个沉积源之间移动屏蔽箔(300)。
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公开(公告)号：CN105393333A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040385.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/3277 , H01J37/32862 , Y10T428/18 , Y10T428/192
Abstract: 根据本公开案，提供一种用于清洁柔性基板处理装置的处理腔室而不破坏处理腔室中的真空的方法。用于清洁处理腔室的所述方法包括：将牺牲箔引导至所述处理腔室中；在所述处理腔室中发起第一泵工艺；当所述牺牲箔被设置在所述处理腔室中时，等离子体清洁所述处理腔室；在所述处理腔室中发起第二泵工艺；以及将所述牺牲箔引导至所述处理腔室外。
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