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公开(公告)号：CN105409332B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201480040981.0
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN105409332A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480040981.0
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/32119 , H01J37/321 , H01J37/3211
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN107564793B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710754995.4
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN107564793A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710754995.4
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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