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公开(公告)号：CN107481962B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710725396.X
申请日：2015-06-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本申请描述了具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：主体，所述主体具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm至90Ω‑cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及射频(RF)垫片，所述RF垫片设置在所述夹具与所述气体分配板之间，从而促进RF功率从所述主体通过所述夹具而至所述气体分配板的导电性。
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公开(公告)号：CN107564793B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710754995.4
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN107221487A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710469815.8
申请日：2014-02-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , H01J37/32082
摘要： 一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
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公开(公告)号：CN106663608A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035584.9
申请日：2015-06-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 本文中提供具有可拆卸气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：底座，所述底座具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm至90Ω‑cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及热垫片，所述热垫片设置在底座与气体分配板之间的间隙中。
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公开(公告)号：CN104798446A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201480003019.X
申请日：2014-02-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , H01J37/3244
摘要： 一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于该侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从该气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，该N通道气体流率控制器具有分别耦接于该等N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，该M通道气体流率控制器具有M个输出，该等M个输出的个别一者耦接于该可调整的气体喷嘴与该N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN104782234A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201480003017.0
申请日：2014-02-03
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , H01J37/32082
摘要： 一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
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公开(公告)号：CN116982146A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020994.6
申请日：2022-03-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 半导体基板支撑组件可以包括具有基板支撑表面的静电吸盘主体。静电吸盘主体可限定多个从基板支撑表面延伸的突出件。组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。电极可限定穿过电极的孔，所述孔与从基板支撑表面延伸的多个突出件成直线。
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公开(公告)号：CN106304597B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610852971.8
申请日：2014-02-03
申请人： 应用材料公司
摘要： 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN107564793A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710754995.4
申请日：2014-08-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN104995719A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480004346.7
申请日：2014-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B05B1/005 , B05B1/185 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32146 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于半导体处理腔室的喷淋头可包括：基座，该基座具有第一侧与第二侧；气体分配板，该气体分配板设置成邻近于该基座的该第二侧；及夹具，该夹具设置于接近该气体分配板的周围边缘以将该气体分配板以可移除方式耦接于该基座；以及热垫片，该热垫片设置于该基座与该气体分配板之间。
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