公开(公告)号：CN116830250A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280014462.1

申请日：2022-01-11

申请人： 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

发明人： P·利安托 ,  徐源辉 ,  A·桑达拉江 ,  A·鲁西迪 ,  M·A·纳拉迪帕

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本文中提供了用于处理基板的方法和设备。例如，使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法包括以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从基板的表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自原位ESE数据中的测得的相位和振幅的变化的复杂介电函数、光导率和电子相关性来确定基板的表面的各个方面。

公开(公告)号：CN118401823A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280079567.5

申请日：2022-12-06

申请人： 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

发明人： P·利安托 ,  徐源辉 ,  A·桑达拉江 ,  M·A·纳拉迪帕 ,  A·鲁西迪

IPC分类号： G01N21/21 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/67

摘要： 本文提供了用于处理第一基板和第二基板的方法和装置。例如，使用扩展的光谱椭圆偏振测量法(ESE)处理基板的方法包括：将射束从扩展的光谱椭圆偏振仪朝向第一基板的第一表面和与第一基板不同的第二基板的第二表面进行引导；确定在处理第一基板和第二基板期间来自第一表面和第二表面中的每一者的原位ESE数据；测量所确定的原位ESE数据的相位和幅度的改变；以及同时使用复介电函数、光传导性、以及与原位ESE数据的相位和幅度的所测量改变的电子互相关来确定第一基板的第一表面和第二基板的第二表面的一个或多个参数。

公开(公告)号：CN113243046A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980085210.6

申请日：2019-12-27

申请人： 应用材料公司

发明人： S·斯如纳乌卡拉苏 ,  A·桑达拉江 ,  K·帕拉西塔森 ,  Q·J·彭 ,  M·阿鲁纳基里

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/525 ,  H01L21/683 ,  H01L23/532

摘要： 本文提供了用于将薄基板膜接合到载板和将薄基板膜从载板解除接合的方法。在一些实施例中，一种处理半导体基板的方法包括：将非黏性的聚合物层施加到由介电材料形成的载板。接着将第二层施加到聚合物层。接着在第二层上形成一个或多个重新分配层。接着经由磁感应加热、红外线曝光或静电排斥中的至少一种将第二层与载板分离。

公开(公告)号：CN111052426A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058472.9

申请日：2018-08-08

申请人： 应用材料公司

发明人： P·索 ,  Y·古 ,  G·H·施 ,  A·桑达拉江

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 一种在具有堆叠的电感器线圈的基板上形成磁芯的方法包含以下步骤：蚀刻多个聚合物层以形成穿过该多个聚合物层的至少一个特征，其中该至少一个特征被设置在形成于该基板上的堆叠的电感器线圈的中心区域内；及将磁性材料沉积在该至少一个特征内。

公开(公告)号：CN117957633A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280063079.5

申请日：2022-07-28

申请人： 应用材料公司

发明人： P·利安托 ,  林尹威 ,  J·S·帕帕努 ,  徐源辉 ,  E·J·伯格曼 ,  N·Y·A·穆罕默德希勒米伊希克 ,  W·Y·D·杨 ,  V·撒穆噶纳桑 ,  Y·K·K·吴 ,  J·L·苏迪约诺 ,  A·桑达拉江

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文提供用于处理基板区的方法和装置。例如，一种用于在基板上增强表面亲水性的方法包括：a)使用远程等离子体源，将水蒸气等离子体供应至等离子体处理腔室的处理容积，以处置基板的接合表面，b)以从约1kHz至10GHz的频率和从约1kW至10kW的功率将微波功率或RF功率中的至少一者供应至等离子体处理腔室，以在操作期间在处理容积内维持水蒸气等离子体，以及c)持续a)和b)直到基板的接合表面具有小于10°的亲水接触角度为止。

公开(公告)号：CN110770926B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201880039544.5

申请日：2018-06-05

申请人： 应用材料公司

发明人： P·索 ,  G·H·施 ,  A·桑达拉江

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有第一聚合物介电层的基板；在第一聚合物介电层上形成第一RDL；在第二聚合物介电层的顶部表面中的至少一个开口中，在第一RDL上构建3D MIM电容堆叠，3D MIM电容堆叠具有顶部电极、底部电极以及插入顶部电极与底部电极之间的电容介电层；在3D MIM电容堆叠上以及第二聚合物介电层上沉积介电层；以及移除介电层的一部分，以在3D MIM电容堆叠的至少一个开口的底部处暴露顶部电极的至少一部分，并且在第二聚合物介电层的至少一个开口的底部处暴露金属层的至少一部分。

公开(公告)号：CN110520975B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880025693.6

申请日：2018-04-09

申请人： 应用材料公司

发明人： P·利安托 ,  G·H·施 ,  A·桑达拉江 ,  R·R·阿内帕利 ,  P·古拉迪雅

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28

摘要： 一种使用化学机械平坦化(CMP)的扇出处理，降低介于半导体管芯与重新组成的晶片周围包覆成型之间的台阶高度。重新组成的晶片通过对至少一个管芯的背侧包覆成型而形成，所述至少一个管芯放置为有源侧面向下。重新组成的晶片接着定向以暴露管芯以及有源侧。接着在重新组成的晶片上形成聚合物层。CMP工艺接着移除聚合物层的一部分，直到获得管芯表面上方的特定厚度，而降低介于管芯表面的顶部上的聚合物层与邻接成型复合表面上的聚合物层之间的台阶高度。还可在重新组成的晶片上形成后续重新分配层之后执行CMP工艺。

公开(公告)号：CN116583934A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180073827.3

申请日：2021-10-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 所鹏 ,  Y·W·王 ,  徐源辉 ,  龙昌范 ,  A·桑达拉江

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本公开涉及用于先进晶片级半导体封装的具有互连介电屏蔽的通孔结构。本文所述的方法使得能够在低深宽比的通孔结构内形成高厚度介电屏蔽层，从而促进具有高1I/O密度和改善的带宽和功率的薄且小形状因子的封装结构。

公开(公告)号：CN113348544A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080009732.0

申请日：2020-01-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 顾煜 ,  徐源辉 ,  所鹏 ,  P·利安托 ,  A·桑达拉江

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 一种处理基板的方法，包括：在基板的顶上沉积未固化的聚合物材料的层，以覆盖基板上的暴露导电层；使用光刻处理暴露层的至少一个区域；在光刻处理中显影层以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第一部分；通过干式蚀刻处理蚀刻层，以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第二部分，以暴露导电层的顶表面并在层中形成通孔；以及固化层以形成固化的聚合物材料。

公开(公告)号：CN112930594A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980069887.0

申请日：2019-10-28

申请人： 应用材料公司

发明人： P·利安托 ,  G·H·施 ,  S·斯如纳乌卡拉苏 ,  A·桑达拉江 ,  X·戴 ,  P·K·M·冯

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

摘要： 本文提供例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。在一些实施例中，一种用于粘合基板的方法包括：执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。