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公开(公告)号：CN102075161B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110023082.8
申请日：2011-01-20
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声波器件及其制作方法，一个或多个串联声波谐振器包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；一个或多个并联声波谐振器包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的质量负载层、在质量负载层上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；一个或多个的串联声波谐振器和一个或多个的并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。制作方法：提供带有牺牲层的基底；在牺牲层上形成多层结构，多层结构包括底部电极和质量负载层；在多层结构上形成压电层；在压电层上形成顶部电极；移除牺牲层以形成空气腔。本发明使声波器件中的质量负载效应与修正过程几乎无关。
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公开(公告)号：CN101958696B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010293846.0
申请日：2010-09-27
Applicant: 张浩
Abstract: 一种温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法，谐振器有：基底；基底上的声反射镜；声反射镜上的底电极；底电极上的压电层；压电层上的复合结构，复合结构包括：压电层上的第一电极；第一电极上的温度补偿层；温度补偿层上的第二电极，它与第一电极导电连接。方法：在基底上形成声反射层；在声反射层上形成底电极层；在底电极层上形成压电层；在压电层上形成第一电极；在第一电极上形成温度补偿层；在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；在温度补偿层上填充导电材料与第一电极相连；平坦化处理导电材料；将第二电极沉积在平坦的温度补偿层上与第一电极相连。本发明在满足谐振频率温度补偿的同时，能实现更高的值，拓宽了该谐振器的应用范围。
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公开(公告)号：CN102056037A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010596666.X
申请日：2010-12-20
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声耦合器件，包括：第一CRF和与第一CRF电气耦合的第二CRF，其中，第一CRF和第二CRF都具有输入端口，输出端口，底部FBAR，在底部FBAR上形成的声去耦层，在声去耦层上形成的顶部FBAR，底部FBAR和顶部FBAR都具有一个底部电极，在底部电极上形成的压电层，在压电层上形成的顶部电极，并且每个CRF的输入端口和输出端口都分别电气连接到相应的底部电极和顶部电极上，这样声去耦层位于相应的底部电极和顶部电极之间；第一CRF的输出端口电气连接到第二CRF的输入端口。本发明利用耦合谐振滤波器中去耦层与它上下电极构成的电容，在不增加额外工艺步骤的情况下极大地增强了滤波器的滚降特性。
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公开(公告)号：CN102064369B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010533172.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含下述步骤：提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；在第二堆叠区下方形成空气腔；在第二堆叠区进行第一次测量；根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。本发明可最大限度减小由第一谐振器释放过程引起的工艺交叉或污染。
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公开(公告)号：CN102111116A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010558203.4
申请日：2010-11-24
Applicant: 张浩
IPC: H03H3/02
Abstract: 一种整合的晶圆级别封装体：具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，两晶圆之间隔有距离，第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对并形成第一间距；在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，两体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；存在于两个晶圆之间的密封圈，环绕两个体声波滤波器形成密封，密封圈和两个体声波滤波器之间形成一个空腔；至少存在一个外界电连接，外界电连接至少可以与两个体声波滤波器中的一个进行电耦合。本发明生产成本降，产品质量高，可将两个或者更多的滤波器组件同时包裹在一个晶圆级别封装中，防止滤波器被周围大气环境污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064369A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010533172.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含下述步骤：提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；在第二堆叠区下方形成空气腔；在第二堆叠区进行第一次测量；根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。本发明可最大限度减小由第一谐振器释放过程引起的工艺交叉或污染。
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公开(公告)号：CN102025340A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513559.6
申请日：2010-10-21
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声波谐振器及其加工方法，声波谐振器包括：具有空气腔的基底；在基底上形成的第一钝化层，且位于空气腔上方；在第一钝化层上形成的种子层，第一钝化层阻止种子层与谐振器周围环境相互作用；在种子层上形成的多层结构；以及在多层结构上表面形成的第二钝化层。方法包括如下步骤：提供带有牺牲层的基底；在牺牲层上形成第一钝化层并延伸至整个基底；在第一钝化层上形成种子层；在种子层上形成多层结构；在多层结构上表面形成第二钝化层；以及将牺牲层从基底移除以形成空气腔。本发明可以减弱材料在谐振器表面的吸附，消除或减轻由于周围空气或潮湿环境影响而产生的谐振器频率偏移，很大程度上放松了对谐振器密闭封装的要求，极大的降低了器件制造成本。
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公开(公告)号：CN101924529A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010267632.6
申请日：2010-08-31
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开一种压电谐振器结构，包括：具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分的基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极，其中，基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极由下到上依次设置，并且，基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域定义为有效激励区。一系列的空气间隙和干涉结构在压电层和第二电极的第一末端和第二末端处形成以提高谐振器的电学性能。本发明的压电谐振器结构极大提高了谐振器在并联谐振频率附近的Q值，同时不影响谐振器在串联谐振频率附近的Q值和寄生模式强度，也不会降低谐振器的机电耦合系数采用本发明谐振器结构的滤波器具有更优越的电学特性，如更低的通带插入损耗等。
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公开(公告)号：CN102056037B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010596666.X
申请日：2010-12-20
Applicant: 张浩
Abstract: 一种声耦合器件，包括：第一CRF和与第一CRF电气耦合的第二CRF，其中，第一CRF和第二CRF都具有输入端口，输出端口，底部FBAR，在底部FBAR上形成的声去耦层，在声去耦层上形成的顶部FBAR，底部FBAR和顶部FBAR都具有一个底部电极，在底部电极上形成的压电层，在压电层上形成的顶部电极，并且每个CRF的输入端口和输出端口都分别电气连接到相应的底部电极和顶部电极上，这样声去耦层位于相应的底部电极和顶部电极之间；第一CRF的输出端口电气连接到第二CRF的输入端口。本发明利用耦合谐振滤波器中去耦层与它上下电极构成的电容，在不增加额外工艺步骤的情况下极大地增强了滤波器的滚降特性。
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公开(公告)号：CN101908865B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010259108.4
申请日：2010-08-20
Abstract: 一种体波谐振器及其加工方法，声波谐振器：位于基底上或嵌于基底内部的具有第一边缘和第二边缘的声学镜；位于基底上与声学镜的两个边缘充分接触的介电层；位于声学镜上的包含第一末端部、第二末端部、以及位于第一末端部和第二末端部之间的主体部分的第一电极；位于第一电极上的具有主体部、第一末端部、以及第二末端部压电层；位于压电层上具有主体部和第二部分的第二电极，主体部位于压电层的主体部之上，并与第二部分相连，从而使这两部分的连接处位于声学镜的第一边缘和第二边缘之间，并且在第二电极的第二部分与压电层的第一末端部之间形成空气间隙。本发明结构简单，加工方便，能够提高谐振器的品质因数、有效机电耦合系数和抗静电放电能力。
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