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公开(公告)号：CN109496390A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780045374.7
申请日：2017-08-10
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC分类号： H02M3/33507 , H02M1/08 , H02M3/3376 , H02M2001/0009 , H02M2001/0022 , H02M2001/0058 , Y02B70/1433 , Y02B70/1491
摘要： 在所描述的示例中，LLC转换器(100)包括具有第一节点(V11)和第二节点(V12)的输入端。第一开关(Q11)耦合在第一节点(V12)和第三节点(N11)之间，以及第二开关(Q12)耦合在第三节点(N11)和第二节点(V12)之间。具有第一变压器输入端(104)的变压器(T11)耦合到第三节点(N11)。谐振电容器(CR)耦合到第二变压器输入端(110)和求和器(118)的第一输入端。电压斜坡发生器(120)耦合到求和器(118)的第二输入端，该求和器用于对第一输入端和第二输入端处的电压求和。转换器(100)还包括用于响应于求和器(118)的输出生成用于第一开关(Q11)和第二开关(Q12)的控制信号(238/240)的电路。
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公开(公告)号：CN117727531A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311716136.8
申请日：2018-06-04
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。
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公开(公告)号：CN109036765A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810561056.2
申请日：2018-06-04
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。
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公开(公告)号：CN109496390B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201780045374.7
申请日：2017-08-10
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 在所描述的示例中，LLC转换器(100)包括具有第一节点(V11)和第二节点(V12)的输入端。第一开关(Q11)耦合在第一节点(V12)和第三节点(N11)之间，以及第二开关(Q12)耦合在第三节点(N11)和第二节点(V12)之间。具有第一变压器输入端(104)的变压器(T11)耦合到第三节点(N11)。谐振电容器(CR)耦合到第二变压器输入端(110)和求和器(118)的第一输入端。电压斜坡发生器(120)耦合到求和器(118)的第二输入端，该求和器用于对第一输入端和第二输入端处的电压求和。转换器(100)还包括用于响应于求和器(118)的输出生成用于第一开关(Q11)和第二开关(Q12)的控制信号(238/240)的电路。
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公开(公告)号：CN104811018A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410541878.6
申请日：2014-10-14
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： F·王
CPC分类号： H02M3/33592 , H02M3/33553 , H02M2001/0058 , Y02B70/1433 , Y02B70/1475 , Y02B70/1491 , H02M7/217
摘要： 本发明涉及一种电路，其包括：导通检测器，其被配置为监测同步整流开关的体二极管相对于预定阀值的导通并生成指示该体二极管的导通或非导通的检测器输出；窗口分析器，其被配置为基于导通检测器的检测器输出生成指示同步整流开关相对于按时关断是提前关断还是滞后关断的定时信号；控制器，其被配置为基于该定时信号指示同步整流开关相对于按时关断是提前关断还是滞后关断来调整同步整流开关的定时。
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公开(公告)号：CN104811018B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410541878.6
申请日：2014-10-14
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： F·王
CPC分类号： H02M3/33592 , H02M3/33553 , H02M2001/0058 , Y02B70/1433 , Y02B70/1475 , Y02B70/1491
摘要： 本发明涉及一种电路，其包括：导通检测器，其被配置为监测同步整流开关的体二极管相对于预定阀值的导通并生成指示该体二极管的导通或非导通的检测器输出；窗口分析器，其被配置为基于导通检测器的检测器输出生成指示同步整流开关相对于按时关断是提前关断还是滞后关断的定时信号；控制器，其被配置为基于该定时信号指示同步整流开关相对于按时关断是提前关断还是滞后关断来调整同步整流开关的定时。
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公开(公告)号：CN108604634A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010775.9
申请日：2017-02-13
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L43/12
摘要： 在所描述的示例中，集成器件(200)包括衬底(108)，所述衬底(108)具有包括功能电路(180)的半导体表面层(109)、半导体表面层(109)上的下金属叠层(130)、下金属叠层(130)上的层间电介质(ILD)层(140)、在ILD层(140)中提供AMR接触焊盘(150a、150b)以及耦合到AMR接触焊盘(150a、150b)的接合焊盘(181、182)的顶部金属层(150)。AMR器件(160)在功能电路(180)侧面的下金属叠层(130)上方，所述AMR器件(160)包括图案化的AMR叠层，所述图案化的AMR叠层包括种晶层(161)、AMR材料层(162)和覆盖层(163)，其中种晶层(161)通过耦合结构耦合到AMR接触焊盘(150a、150b)。保护性外套层(PO层)(190)在AMR叠层上方。PO层(190)中的开口暴露接合焊盘(181、182)。
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