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公开(公告)号：CN103081353B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201080068774.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01P5/184 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D7/165 , H03D2200/0023
Abstract: 可调节阻抗网络耦合到隔离端口（其通常被终止），以在非常高的频率范围内显著地增加调谐范围并且扩展正交混频器的带宽。正交混频器200从RF信号（VRF）和本地振荡器信号（VLO）产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。跨导电路（202）和开关电路（204‑1，204‑2）以类似方式共同地操作为一对Gilbert单元混频器，其输出同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。混和耦合器（100）对从跨导电路（202）输出的信号进行相移，而同一本地振荡器信号（VLO）被施加到两个开关电路（204‑1，204‑2）以产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。
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公开(公告)号：CN103840786A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310593903.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03H7/42
CPC classification number: H01P5/10 , H03H1/0007 , H05K1/0216
Abstract: 本发明涉及带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡-非平衡转换器。提供了一种装置。在第一区域中形成传输线单元。在一部分第一区域内的传输线单元上方形成第一金属化层。至少一部分第一金属化层电耦合到多个传输线单元。在第一金属化层上方形成第二金属化层，其具有互连部分、交叠部分和第一平衡-非平衡转换器。互连部分至少部分延伸到第一区域中，并且交叠部分在第一区域内。第一平衡-非平衡转换器绕组电耦合到交叠部分并部分延伸到第二区域中。第一区域部分围绕第二区域。在第二金属化层上方形成第三金属化层，其具有在第二区域内的第二平衡-非平衡转换器绕组，其中第二绕组与第一平衡-非平衡转换器绕组大致同轴。
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公开(公告)号：CN104904115A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201480004238.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03B19/10
Abstract: 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo-)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
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公开(公告)号：CN103733429A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037483.1
申请日：2012-07-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01Q7/00
CPC classification number: H01L31/08 , H01L2224/73204 , H05K3/3436 , H05K2201/10098
Abstract: 一种天线，其包含在固定于集成电路（IC106）的封装（104）内（其允许辐射被传播远离印刷电路板（PCB）从而降低干扰），并且该天线包括两个环形天线，其短接到地并“交叠”，而且包括“通孔壁”。IC106具有覆盖IC的保护性外壳（406），包括金属化层404和IC基板402，并且柱状凸起（302-1）固定在IC和天线封装件（104）之间。接着，天线封装件（104）能够固定到PCB。使用所公开的配置，通过改变输入信号的相对相位能够实现圆形极化，并且通过减少表面薄，“通孔壁”提高效率。
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公开(公告)号：CN104904115B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480004238.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03B19/10
Abstract: 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo‑)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703612B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280036548.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01Q1/52 , H01Q9/0407 , H01Q15/008
Abstract: 一种用于发射辐射的装置，其具有在基板（104）上形成的天线和高阻抗表面（HIS）。所述HIS具有多个多层垂直堆叠的单元（304），其被设置以形成大致环绕所述天线的至少一部分的阵列。每个单元（304）包括形成在基板（104）上的接地面（106），在所述接地面上方形成并耦合到所述接地面的第一金属板（306），和在所述第一金属板上方形成并通过互连（308）耦合到所述第一金属板的第二金属板（310）。示例性第一和第二基板是平行的并且基本上是矩形的，其中多个单元的第一和第二金属板被设置以形成所述阵列的相应的第一和第二格子图案。
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公开(公告)号：CN103840786B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201310593903.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03H7/42
CPC classification number: H01P5/10 , H03H1/0007 , H05K1/0216
Abstract: 本发明涉及带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡‑非平衡转换器。提供了一种装置。在第一区域中形成传输线单元。在一部分第一区域内的传输线单元上方形成第一金属化层。至少一部分第一金属化层电耦合到多个传输线单元。在第一金属化层上方形成第二金属化层，其具有互连部分、交叠部分和第一平衡‑非平衡转换器。互连部分至少部分延伸到第一区域中，并且交叠部分在第一区域内。第一平衡‑非平衡转换器绕组电耦合到交叠部分并部分延伸到第二区域中。第一区域部分围绕第二区域。在第二金属化层上方形成第三金属化层，其具有在第二区域内的第二平衡‑非平衡转换器绕组，其中第二绕组与第一平衡‑非平衡转换器绕组大致同轴。
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公开(公告)号：CN103715517A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210372231.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及封装天线的路由选择。提供了一种装置。多个收发器天线被布置以形成相控阵列，其中每个天线包括以第一模式布置的差分发射天线和差分接收天线。多个收发器以基本对称的第二模式布置，并且每个收发器与收发器天线的至少一个相关联，并且包括馈电网络。每个馈电网络具有：功率放大器（PA）；第一匹配网络，其耦合在该PA及其相关联的发射天线之间，以便平移每个差分发射信号的相位；低噪声放大器（LNA）；以及第二匹配网络，其耦合在该LNA及其相关联的接收天线之间，以便平移每个差分接收信号的相位。
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公开(公告)号：CN103650338A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034605.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: G06F1/26 , H03F1/305 , H03F3/195 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/459 , H03F2203/7215
Abstract: 本发明提供补偿寄生电感和电阻（例如，来自封装键合线）的装置和方法，其中所述寄生电感和电阻影响具有较大变化的电流消耗的占空比系统如低噪声放大器（LNA）中的电流。升压电路提供来自电源VBSTDC的电流以补偿由于封装电感204和电阻性电压降引起的电压变化。为实现这点，复制电路（即，晶体管Q2）能够从电流源206-1（其能够是大致恒定的电流源）获得电流，其中所述电流源206-1是由输入电路（即，LNA108）供应的电流ICKT的复制品IRPL。
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公开(公告)号：CN103081353A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201080068774.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01P5/184 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D7/165 , H03D2200/0023
Abstract: 可调节阻抗网络耦合到隔离端口（其通常被终止），以在非常高的频率范围内显著地增加调谐范围并且扩展正交混频器的带宽。正交混频器200从RF信号（VRF）和本地振荡器信号（VLO）产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。跨导电路（202）和开关电路（204-1，204-2）以类似方式共同地操作为一对Gilbert单元混频器，其输出同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。混和耦合器（100）对从跨导电路（202）输出的信号进行相移，而同一本地振荡器信号（VLO）被施加到两个开关电路（204-1，204-2）以产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。
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